三极管MOS管工作原理及.pptVIP

半导体三极管，又称为双极结型晶体管（BJT） 发射结 集电结 NPN型 PNP型 三极管的发射极的箭头方向，代表三极管工作在放大，饱和状态时，发射极电流（IE）的实际方向。 1.3.1 概述 半导体三极管的分类： 按材料分： 硅管、锗管 按功率分： 小功率管 500 mW 按结构分： NPN、 PNP 按使用频率分： 低频管、高频管 大功率管 1 W 中功率管 0.5 1 W 按结构和材料共有4种组合 1.3.2 半导体三极管的工作原理 工作状态 发射结电压 集电结电压 放大 正向 反向 截止 反向 反向 饱和 正向 正向 倒置 反向 正向 半导体半导体三极管有共有四种工作状态： 三极管的电流放大条件 内部：发射区高掺杂，基区很薄，集电结面积大 外部：发射结正偏，集电结反偏 1. 工作于放大状态的半导体三极管 发射结正偏 集电结反偏 外电场方向 e b c 三极管的 电流放大条件 内部：发射区高掺杂，基区很薄，集电结面积大 外部：发射结正偏，集电结反偏 N N P 1、发射区的电子大量地扩散注入到基区，基区空穴的扩散可忽略。 e b c IE 发射结正偏 集电结反偏 外电场方向 N N P 1、发射区的电子大量地扩散注入到基区，基区空穴的扩散可忽略。 2、电子扩散的同时，在基区将与空穴相遇产生复合。由于基区空穴浓度低，且基区