开关器件大总结.pdfVIP

理想的电力电子器件的特征 理想的电力器件即超级电力器件，其特征为：零导通压 降，阻断无限大电压，承受无限大电流，开关零时间即无 限开关速度。具体描述如下： ①在导通的状态 （on-state ），开关器件能够承受高的正 向电流，趋向于无穷大；正向导通压降足够低，趋向于 零；导通电阻足够低，趋向于零，导通损耗趋向于零； ②在断开的状态 （off-state ），开关器件能够承受高的正 向与反向电压，趋向于无穷大；断态漏电流足够低，趋向 于零；关断电阻足够高，趋向于无穷大，关断损耗趋向于 零； ③在开通（turn-on ）与关断（turn-off ）过程中，开关 件能够瞬时开通与关闭，以便能够工作在高频状态，低的 延时时间，趋向于零；低的上升时间，趋向于零；低的存 储时间，趋向于零；低的下降时间，趋向于零； 理想的电力电子器件的特征 • ④对于开通与关闭过程，低的门极驱动功率， 趋向于零；低的门极驱动电压，趋向于零；低 的门极驱动电流，趋向于零； • ⑤开通与关闭过程必须是受控的，一种门极信 号使之开通（正电压），另一种门极信号使之 关闭（零电压和负电压）， • ⑥对于开通与关闭过程，只需要窄脉冲信号， 脉冲宽度趋向于零； • ⑦能够承受高的dv/dt，趋向于无穷大，能够承 受电压的快速切换； 理想的电力电子器件的特征 • ⑧能够承受高的di/dt，趋向于无穷大，能 够承受电流的快速上升； • ⑨内部PN结到环境的热阻足够低，趋向于 零，便于热处理； • ⑩具有长时间保持故障电流的能力，具有 足够高的，趋向于足够大； • ⑾导通电流具有正的温度系数，便于电流 共享和器件并联 • ⑿电力器件的价格应该低廉； 电力电子器件与信息电子器件相比的比较 信息电子技术的基础： 电子器件：晶体管和集成电路 电力电子电路的基础： 电力电子器件：能处理电功率的 能力，一般远大于处理信息的电子器件。 电力电子器件一般都工作在开关状态。 电力电子器件往往需要由信息电子电路来控制。 电力电子器件自身的功率损耗远大于信息电子器件， 一般都要安装散热器。 电力电子器件的开关方式 • 不控：功率二极管（外加电压控制） • 相控：相位控制 如单向可控硅，双向可控硅，RCT,快速可控硅, 激光可控硅，光触发可控硅. (可控硅=晶闸管) • 斩控：斩波控制，PWM控制 如IGBT，GTR、GTO、ETO、N-MOSFET 、 P-MOSFET,SIT,SITH,IGCT, IEGT, MCT, MTO (MOS 关断晶闸管), FET-SCR. • 软开关/零开关：自然软开关/零开关 谐振软开关/零开关 零电压开关/零电流开关 电力电子器件的分类 • 二极管类型：功率DIODE； • 晶体管类型：UJT，BJT/GTR，功率N- MOSFET，功率P-MOSFET,SIT, IGBT， COOLMOS ，IGBT • 晶闸管类型：SCR，TRIAC，RCT，GTO， ETO, IGCT, IEGT, SITH，MCT，MTO, 激 光晶闸管，光触晶闸管，快速晶闸管； 电力电子器件的分类 • 开通不可控，关断不可控：功率DIODE； • 开通 可控，关断不可控：SCR； • 开通 可控，关断 可控：UJT， BJT/GTR，功率N-MOSFET，功率P- MOSFET ，SIT ，GTO，SITH， IGBT，MCT,IGCT, IEGT； • 需要 连续脉冲信号：BJT/GTR，功率 MOSFET，SIT, IGBT，； • 需要非连续脉冲信号：SCR ，GTO， MCT； 电力电子器件的分类 • 承受双极电压：SCR ，GTO,IGCT,IEGT； • 承受单极电压：BJT/GTR，GTO，IGBT， MCT ； • 承受双向电流：TRIAC，R