纳秒激光加工生成硅量子点的发光性质研究.pdf

中国科学: 物理学 力学 天文学 2011 年 第41 卷 第3 期: 236 ~ 242 SCIENTIA SINICA Phys, Mech Astron SCIENCE CHINA PRESS 论 文 纳秒激光加工生成硅量子点的发光性质研究 ①* ① ① ① ② ① ① ① 黄伟其 , 蔡成兰 , 刘家兴 , 吕泉 , 秦朝建 , 王晓允 , 张荣涛 , 于示强 ①贵州大学纳米光子物理研究所, 贵阳 550025; ② 中国科学院地球化学研究所, 贵阳 550003 * E-mail: WQHuang2001@ 收稿日期: 2010-05-03; 接受日期: 2010-05-26 国家自然科学基金资助项目(批准号: 摘要 该文报道氧气、氮气或空气等不同氛围中用纳秒脉冲激光在硅基上加工生成量子点结构, 发现这些 样品在700 nm 波长附近均有增强的光致发光(Photoluminescence, PL), 且各样品的PL 峰很相似; 经适当退火 处理后, 在某些样品上观察到随机受激发光. 通过第一性原理计算, 发现各种量子点结构表面的成键类型与 密度是形成PL 发光增强的关键, 并由此提出相应的物理模型. 关键词 纳秒激光, 量子点, 光致荧光 PACS: 78.45.+h, 78.60.-b 1 引言 —Si 桥键、Si==O 双键、硅氮键和硅氮氧键等能够在 展宽的能带的带隙中形成局域电子态, 该亚稳态能 半导体硅在电子电路集成化中的应用已经相当 捕获跃迁至导带的电子, 并与价带构成粒子数反转. 成熟, 在未来光信息集成化中应该有很好的应用前 由此提出的物理模型能够解释PL 增强发光乃至受激 景[1~5]. 但是硅是间接跃迁能带结构, 其发光效率很 发光的机理. 低, 这是硅基发光研究的大难题. 近来的研究发现, 硅基量子点结构形成的能带变化能有增强的 PL 发 [6~13] 2 量子点结构的生成 光 . 一改传统的方法, 我们采用脉冲激光加工的 方法在硅基上生成量子点结构, 发现这是很有希望 我们采用电阻率为10~20 cm 的p 型硅作为样 的方法[14~19]. 用纳秒脉冲激光分别在真空、氧气、氮 品, 用波长为 1064 nm、脉宽为8 ns 及平均功率为50 气和空气环境下加工硅量子点, 通过检测 PL 发光, W 的 Nd:YAG 纳秒脉冲激光器作为加工光源, 控制 我们发现: 真空环境下生成的硅量子点几乎没有 PL 脉冲激光的重复率约 1000 次/秒. 在实验中, 先用酒 发光; 氧气、氮气和空气环境下制备的硅量子点均有 精对样品进行清洗, 再用氢氟酸溶液(NH4 :HF=49%) 增强的 PL 发光; 经适当的快速退火后, 在某些样品 除去样品表面的氧化物. 分别将样品置于真空、氧 上观察到700 nm 邻域的受激发光. 通过第一性原理 气、空气和氮气环境中, 用束斑直径为30 m 、峰值 计算, 我们发现: 量子点表面一定数量密度的 Si—O 功率密度为5×108 W cm2 的纳秒脉冲激光辐照样品. 引用格式: 黄伟其, 蔡成兰, 刘家兴, 等. 纳秒激光加工生成