河南理工职业学校电工电子与电机拖动教案：半导体的基础知识.docVIP

授课日期 出勤人数 缺勤人数 课的类型 课题与 项目 1.1半导体的基础知识 1.2半导体二极管 目 的 与 要 求 1.正确理解二极管的单向导电性。 2.熟练掌握二极管的伏安外特性。 3.熟悉二极管的主要参数。 重 点 与 难 点 二极管的伏安外特性。 教 学 过 程 基 本 内 容 时间分配 教学方法 教具 1.1 半导体的基础知识 1.1.1本征半导体 1.1.2 杂质半导体 1.1.3 PN结的形成及特性 1.2 半导体二极管 1.2.1 半导体二极管的结构 1.2.2 半导体二极管的特性 1.2.3 半导体二极管的主要参数 1.2.4 特殊二极管 50分 50分 讲授 多媒体 作业 板书布置 备注 河南理工职业学校电工电子与电机拖动教案：1.1 半导体的基础知识 物体根据导电能力的强弱可分为导体、半导体和绝缘体三大类。导电能力介于导体和绝缘体之间的物质（如硅、锗、硒等）称为半导体。半导体之所以得到广泛的应用，是因为它具有热敏性、光敏性、掺杂性等特殊性能。 1.1.1本征半导体 本征半导体是一种纯净的半导体晶体。常用的半导体材料是单晶硅（Si）和单晶锗（Ge）。 半导体硅和锗都是4价元素，其原子结构如图所示。 本征半导体晶体结构示意图如图所示。各原子间整齐而有规则地排列着，使每个原子的4个价电子不仅受所属原子核的吸引，而且还受相邻4个原子核的吸引，每一个价电子都为相邻原子核所共用，形成了稳定的共价键结构。每个原子核最外层等效有8个价电子，由于价电子不易挣脱原子核束缚而成为自由电子，因此，本征半导体导电能力较差。 从外界获得一定的能量（如光照、温升等），有些价电子就会挣脱共价键的束缚而成为自由电子，在共价键中留下一个空位，称为“空穴”。空穴可看成一带正电荷的载流子。在本征半导体中，空穴与电子是成对出现的，称为电子—空穴对。其自由电子和空穴数目总是相等的。本征半导体在温度升高时产生电子—空穴对的现象称为本征激发。 在半导体中存在着自由电子和空穴两种载流子，而导体中只有自由电子这一种载流子，这是半导体与导体的不同之处。 1.1.2 杂质半导体 在本征半导体中掺入微量的杂质元素，就会使半导体的导电性能发生显著改变。根据掺入杂质元素的性质不同，杂质半导体可分为P型半导体和N型半导体两大类。 1. P型半导体 P型半导体是在本征半导体硅（或锗）中掺入微量的3价元素（如硼、铟等）而形成的。 在P型半导体中，原来的晶体仍会产生电子—空穴对，由于杂质的掺入，使得空穴数目远大于自由电子数目，成为多数载流子(简称多子)，而自由电子则为少数载流子(简称少子)。因而P型半导体以空穴导电为主。 2. N型半导体 N型半导体是在本征半导体硅中掺入微量的5价元素（如磷、砷、镓等）而形成的，杂质原子有5个价电子与周围硅原子结合成共价键时，多出1个价电子，这个多余的价电子易成为自由电子，如图1.4所示。 综上所述，在掺入杂质后，载流子的数目都有相当程度的增加。因而对半导体掺杂是改变半导体导电性能的有效方法。 1.1.3 PN结的形成及特性 1. PN结的形成 在同一块半导体基片的两边分别形成N型和P型半导体，它们的交界面附近会形成一个很薄的空间电荷区，称其为PN结。 PN结的形成过程如图1.5所示。 图7.5PN结的形成 （a）多子扩散示意图；（b）PN结的形成 2. PN结的单向导电性 1）PN结正向偏置——导通 给PN结加上电压，使电压的正极接P区，负极接N区（即正向连接或正向偏置），如图7.6（a）所示。这时PN结对外呈现较小的阻值，处于正向导通状态。 图7.6PN结的单向导电性 （a）正向连接;（b）反向连接 2）PN结反向偏置——截止 将PN结按图7.6（b）所示方式连接（称PN结反向偏置）。由图可见，外电场方向与内电场方向一致，它将N区的多子（电子）从PN结附近拉走，将P区的多子（空穴）从PN结附近拉走，使PN结变厚，呈现出很大的阻值，且打破了原来的动态平衡，使漂移运动增强。由于漂移运动是少子运动，因而漂移电流很小；若忽略漂移电流，则可以认为PN结截止。 综上所述，PN结正向偏置时，正向电流很大；PN结反向偏置时，反向电流很小，这就是PN结的单向导电性。 1.2 半导体二极管 1.2.1 半导体二极管的结构 半导体二极管又称晶体二极管，简称二极管。二极管按其结构的不同可以分为点接触型和面接触型两类。 点接触型二极管的结构，如图7.7（a）所示。这类管子的PN结面积和极间电容均很小，不能承受高的反向电压和大电流，因而适用于制做高频检波和脉冲数字电路里的开关元件，以及作为小电流的整流管。 1.2.2