模电课件第1章 半导体器件.ppt

耗尽型 MOS管 耗尽型MOS管在 uGS＞0、 uGS ＜0、 uGS ＝0时均可导通，实现对iD的控制。与结型场效应管不同，由于SiO2绝缘层的存在，耗尽型MOS管仍保持g-s间电阻非常大的特点。 MOS管的特性 1) 增强型MOS管 2) 耗尽型MOS管 开启电压 夹断电压 恒流区： 式中IDO是uGS=2UGS(th)时的iD 三、场效应管的分类工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性 uGS=0 可工作在恒流区的场效应管有哪几种？ uGS＞0 才可能工作在恒流区的场效应管有哪几种？ uGS＜0 才可能工作在恒流区的场效应管有哪几种？ 场效应管的符号及特性 场效应管的符号及特性 场效应管与晶体管的比较： （1）场效应管用栅-源电压控制漏极电流，栅极基本不取电流。场效应管是电压控制元件，晶体管是电流控制元件。 （2）场效应管只有多子参与导电，为单极型管。晶体管为双极型管。 （3）场效应管的噪声系数很小，低噪声放大器的输入级及要求信噪比较高的电路应选用场效应管。 （4）场效应管的漏极与源极可以互换使用，互换后特性变化不大。而晶体管的发射极与集电极互换后特性差异很大。 （6）场效应管和晶体管均可用于放大电路和开关电路，它们构成了品种繁多的集成电路。 （5）场效应管比晶体管的种类多，特别是耗尽型MOS管，栅-源电压可正、可负、可零，均能控制漏极电流。因而在组成电路时场效应管比晶体管更灵活。 场效应管的栅极、源极、漏极对应于晶体管的基极、发射极、集电极，两者作用相类似。 讨论一：电路以及管子T的输出特性曲线如图所示，试分析uI为0、8V和10V三种情况下场效应管分别工作在什么区域，并求出uo值。 讨论二：电路如图所示，场效应管的夹断电压UGS(off)= －4V，饱和漏极电流IDSS=4mA。试问：为保证负载电阻RL上的电流为恒流，RL的取值范围应为多少？ 讨论三：测得某放大电路中三个MOS管的三个电极的电位如表所示，它们的开启电压也在表中。试分析各管的工作状态（夹断区、恒流区、可变电阻区）。 管 号 UGS(th)/V US/V UG/V UD/V 工作状态 T1 4 －5 1 3 ? T2 －4 3 3 10 ? T3 －4 6 0 5 ? 恒流区 夹断区 可变电阻区 讨论四：已知场效应管的输出特性曲线如图所示，画出它在恒流区的转移特性曲线。 讨论五：分别判断图示各电路中的场效应管是否可能工作在恒流区。 * * * * * * * * * * * * * * * * * 四、二极管的主要参数 最大整流电流IF：最大平均值 最大反向工作电压UR：最大瞬时值 反向电流 IR：即IS 最高工作频率fM：因PN结有电容效应 讨论：解决两个问题 如何判断二极管的工作状态？ 如何选用二极管的等效电路？ Q 若V与uD可比，则需图解： 实测特性 对于V和ui，二极管的模型有什么不同？ 五、稳压二极管 1.伏安特性 稳压管在反向击穿时，在一定的电流范围内，端电压几乎不变，表现出稳压特性。因而广泛用于稳压电源与限幅电路之中。 2.主要参数 稳定电压UZ、稳定电流IZ 最大功耗 PZM＝ IZM UZ 动态电阻 rz＝ΔUZ /ΔIZ 若稳压管的电流太小则不稳压，电流太大则会因功耗过大而损坏，因而稳压管电路中必需有限制稳压管电流的限流电阻！ 讨论一：电路如图所示，二极管导通时UD=0.7V。试求解电路的输出电压。 + _ UO + _ UO 讨论二：电路如图所示，已知ui=5sin?t(V)，二极管导通电压UD=0.7V。试画出ui与uo的波形，并标出幅值。 ui/V O ?t 讨论三：电路如图所示，二极管导通电压UD=0.7V，常温下UT ≈ 26mV，电容C对交流信号可视为短路；ui为正弦波，有效值为10mV。试问：（1）二极管在ui为零时的电流和电压各为多少？（2）二极管中流过的交流电流有效值为多少？ 讨论四：在图示稳压管稳压电路中，已知稳压管的稳定电压UZ=6V，最小稳定电流Izmin=5mA，最大稳定电流Izmax=25mA；负载电阻RL=600?。求解限流电阻R的取值范围。 §1.3 晶体三极管 一、晶体管的结构和符号 二、晶体管的放大原理 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 四、温度对晶体管特性的影响 五、主要参数 一、晶体管的结构和符号 掺杂浓度很高 很薄且杂质浓度很称低 集电结面积很大 二、晶体管的电流放大原理 平衡少子的漂移运动 发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电流。 扩散到基区的自由电子与空穴的复合形成基极电流。 集电结加反向电压，漂移运动形成集电极电流。 基区空穴的扩散 电流分配：IE＝IB＋IC IE－扩散