基于al2 o3 ／ pt 纳米晶2 叠层的电容存储效应研究 - 物理学报.pdf

第卷第期 年月 ５９ ３ ２０１０ ３ 物　 理　 学　 报 Ｖｏｌ．５９，Ｎｏ．３，Ｍａｒｃｈ，２０１０ １０００３２９０／ ２０１０／ ５９ ０３ ／２　０５７０７ （） ＡＣＴＡ ＰＨＹＳＩＣＡ ＳＩＮＩＣＡ ２０１０ Ｃｈｉｎ．Ｐｈｙｓ．Ｓｏｃ． 基于Ａｌ Ｏ ／ Ｐｔ纳米晶／ ＨｆＯ 叠层的ＭＯＳ ２ ３ ２  电容存储效应研究  黄　 癑　 苟鸿雁　 廖忠伟　 孙清清　 张　 卫　 丁士进 （专用集成电路与系统国家重点实验室，复旦大学微电子研究院，上海　 ２００４３３） （２００９ 年５ 月３１ 日收到；２００９ 年６ 月３０ 日收到修改稿） 　 　 采用电子束蒸发Ｐｔ 和后快速热退火的方法，研究了退火条件对Ｐｔ 纳米晶的生长特性的影响，结果显示Ｐｔ 纳 米晶的密度随退火温度的升高和退火时间的延长均表现出先增大后减小的趋势．在８００℃下退火２０ ｓ 能得到分布 １１ －２ 均匀的、密度为３０ ×１０ ｃｍ 的Ｐｔ纳米晶．进一步研究了基于Ａｌ Ｏ ／ Ｐｔ 纳米晶／ ＨｆＯ 叠层的ＭＯＳ 电容结构的存 ２ ３ ２ 储效应，表明其在— 扫描电压范围下 滞回窗口达到 在编程时间相同的情况下，当编程电压增 －３ ＋８ Ｖ ＣＶ ２０１Ｖ． 大到９ Ｖ 时其平带电压偏移显著增大，这与电子穿过隧穿层的势垒减小有关，即电子由直接隧穿变为Ｆｏｗｌｅｒ 隧穿此外，纳米晶存储电容也表现出了随编程时间持续的电子俘获能力 Ｎｏｒｄｈｅｉｍ ． Ｐｔ ． 关键词：Ｐｔ纳米晶，快速热退火，原子层淀积，存储效应 ＰＡＣＣ：７３４０Ｎ，８１１６，７３６０Ｈ 广阔的功函数选择范围、拥有和金属体材料及其相 １ 引 言 近的能带结构、在隧穿层和纳米晶间更容易实现不 ［］８ 对称势垒来均衡编程和保持特性． 因此，探索金 随着半导体器件特征尺寸不断缩小，传统的多 属纳米晶在存储器中的应用具有重要的意义． Ｐｔ 晶硅浮栅非挥发性存储器将面临着严峻的挑战，即 在各种金属材料中，金属铂（）拥有较大的功 隧穿氧化层的减薄会导致数据保持能力的退化于． 函数（５３６ ｅＶ），良好的导电性，化学性质稳定不易 是，许多研究者提出了采用分立的纳米晶作为电荷 被氧化，以及与高介电常数介质间热稳定性好，因 存储中心来替代连续的多晶硅浮栅． 由于纳米晶彼 此在金属纳米晶存储器中具有很好的应用前景．就 此之间被绝缘介质电学隔离，因此隧穿层中存在的 Ｐｔ纳米晶的制备技术而言，国际报道主要集中在化 ［］９ 电荷泄漏通道通常