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AIN电子薄膜材料的研究进展
维普资讯
· 14 · 材料导报 2007年 5月第21卷第 5期
AIN电子薄膜材料的研究进展
周继承 ，石之杰
(中南大学物理科学与技术学院，长沙 4]0083)
摘要 A1N是一种在热、电、光和机械等方面具有良好综合性能的材料，作为电子薄膜材料在微 电子、电子元
件、高频宽带通信以及功率半导体器件等领域有广泛应用。简介了A1N薄膜的制备方法，评述了国内外各科研团体
的最新研究成果和进展，阐述了AIN薄膜的应用，并综述了近年来AIN薄膜作为缓冲层、SOI结构的绝缘埋层和吉
赫兹级声表面波器件压电薄膜的研究现状。
关键词 A1N电子薄膜材料 电子元器件 应用 进展
中图分类号：TB43 文献标识码：A
TheDevelopmentofAIN asElectronicThinFilm M aterial
ZHOUJicheng。SHIZhijie
(CShoolofPhysicalScienceandTechnology，CentralSouthUniversity，Changsha410083)
Abstract Aluminium nitride(AlN)aselectronicthinfilmmaterialhasalotofexcellentphysicalpropertiesin
thermal，electrical，lightandmachinefields．Latelyitisusedwidelyinlotsoffieldssuchasmicroelectronics，electron
device，high-frequencywidebandcommunications，powersemiconductordeviceandSOOIL Thephysicalpropertiesof
AlN andthepreparingmethodsareintroducedbriefly．Thelatestresearchresultsarealsointroducde．Andthelatest
,
actualapplicationsandresearchonperformanceofA1N thinfilm asbufferlayer．buriedinsulatorinS0Iandthinpiezo—
electricfilm ofhighfrequencypiezoelectricresonatorarealsoreviewed．
Keywords A1N electronicthinfilms，electricalelementanddevice，application，development
0 前言 Table1表 N 与其它常用电子材料特性的对照裹
Comparis of erties ofA1N w ith。thercom 0n
on prop
电子薄膜材料是微电子技术和光电子技术的基础 ，因而对
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