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金纳米粒子作掩模的硅纳米柱阵列的加工 - 上海交通大学
第 !期 微细加工技术 45!
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金 纳 米 粒 子 作 掩 模 的 硅 纳 米 柱 阵 列 的 加 工
赵保军,王8英 #,张亚非
(上海交通大学 微纳科学技术研究院 微米B纳米加工技术国家重点实验室
薄膜与微细技术教育部重点实验室,上海 !##=#)
摘要:利用 自组装的方法在硅基片表面形成一层均匀的金纳米粒子掩模 ,分析 了偶联剂对 自组装 的
影 响,以金纳米粒子作掩模进行反应离子刻蚀 ,研究了刻蚀 时间对硅纳米柱 阵列的影 响,提供了一
种简单 、便宜并且有效 的在硅基底上大面积形成纳米柱 阵列 的纳米加工方法 。实验中发现 ,超过
一定刻蚀时间时,有过刻蚀现象发生 ,在 !#C刻蚀 时间下,得到了直径小于 #DE,深 宽 比高达 !#
F!以上规则、致密 、大面积分布的硅纳米柱或硅纳米锥状结构。
关8键8词:自组装;金纳米粒子;纳米柱阵列;反应 离子刻蚀
中图分类号:-.888文献标 识码:+
的纳米结构 ,近年来兴起许多在基底上形成纳米 点
!引言
阵的方法,其中包括 自组装法、旋涂法、嵌段共聚物
分子模版辅助法、1,拉膜法等 。通过这些技术在基
传统 的光刻技术能够很好地控制纳米 点阵的尺 底表面制备各种纳米 点阵,经过刻蚀加工 ,可 以获得
寸、形状和距离等,但是 由于所 需设备非常 昂贵、生 各种纳米图形及纳米 阵列 。本文重 点介绍了用 自组
产效率低 ,并且由于受光刻光源波长等方面 的限制, 装纳米粒子作模版构造纳米 图形 的方法,该方法简
其最大分辨率(约 !##DE)难 以提高[!]。有文献报 单 、成本低 ,并且可有效地在硅基底上大面积形成纳
道,将硅纳米柱用做场发射器件的电极 ,可 以大大降 米点阵或纳米柱 阵列 。
[]
低开启电压 ,并使器件尺寸缩小 ;如果将 其用于 自组装法是近年来发展起来的一类新型 的加工
光发射器件,其量子 限域效应能够极大地增强光发 制造技术,有着广阔的应用前景,引起了人们广泛 的
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射器件的发光效率 ;而应用在传感器技术 中可增 研究兴趣。通过 自组装技术构造 的纳米材料薄膜 ,
加传感器 的灵敏度。纳米 阵列结构很容 易通过 电、 按照纳米粒子与基底 的结合方式的不同可分为化学
[ ]
磁、光等外场实现对其性能的控制,从而使其成为设 吸附 自组装薄膜 和静 电结合 自组 装薄膜 。前者
计纳米超微型器件的基础[;]。 目前 ,有序纳米结构 是指溶液中某些特殊分子 自发性地吸附到特定的基
材料 已经在磁记录、光 电组件 、传感器 、多相催化等 材表面 ,利用特殊的官能 团和表面进行化学反应而
许多领域开始得到应用 ,并存在 巨大的应用 、开发潜 吸附在表面上,从而在基底表面形成规则 的单分子
力 ,因此开发成本低、操作简便、可批量生产 的纳米 膜 。而后者形成薄膜 的驱动力是带相反 电荷 的组分
[9]
图形的制备方法具有重大意
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