InGaN的材料特性、制程 - 郭艳光.DOC

InGaN的材料特性、製程、近來發展 姓名：張郁妮 學號：8522045 班級：物三甲 指導老師：郭艷光 前言： 以InGaN為主的二極體、雷射材料在最近幾年被發展出來後，由於市場價值高、發展潛力大，無論工商業界、學術、研究單位皆投入相當大的資本與人力，目前以日本日亞公司的產品最為成功，1997年10月30日(去年我生日的那一天)，日亞公司在日本德島舉行的第二次氮化3-5族的國際會議中發表已製成在室溫下連續振盪的壽命估計可達1萬小時的InGaN藍光雷射二極體。 目前藍光LED及LD在量產技術方面，工研院的光電所以有很好的設備，當然業界也有幾家積極的投入，我們也預估在未來兩年內藍光LED燈、晶粒及晶片將陸續推出，這也是我們產業成熟的策略。另外在學校的研究亦由國科會積極投入，以尖端計畫方式研究氮化鎵藍光雷射為目標，整合學校教授的大團隊，作五年長期研究，同時亦有許多自由行的研究計畫被提出執行，正是高科技產業的特質，在有量產產品技術之時同時發展下一波產品技術，才能在專利及時效上與世界先進產業同步競爭及永續經營。 發光二極體產業概況 LED產業動態與趨勢 在PC、通訊網路等各類電子產品需求增加，以及行動通訊、彩色影像資訊、交通、能源、醫療、加工、檢測等新興需求帶動下，全球光電材料與元件市場持續維持成長，研發投入亦激增。根據知名市場研究機構Strategies Unlimited去年底表示，1997年全球光電市場總值達71.1億美元，年成長率達8.0%。 可見光LED自推出藍光LED產品而達成全彩化後發展方向除既有顯示、指示、光源等用途外，結合全彩化之多媒體電子產品亦為另一項重要發展方向，如全彩掃瞄器、大型LED全彩顯示幕等。 國內概況 ( 1997年我國LED級及LED顯示器等相關元件 ，其上中下游的海內外總 產值共約新台幣187.7元。LED中上游產值快速增加，產業結構日益完備，下游赴大陸生產規模擴大，整體成長高達21.1%，已躍居世界第二位；藍光LED亦有諸多研發進展。 (註一) 我國LED產動態與趨勢(表一) 中上游 擴大生產規模、資本規模 擴產高亮度四元化合物 磊晶製作、藍綠光GaN LED為研發重點 投入相關產品領域 下游 擴大生產規模、資本規模 增產Cluster、背光源…等 GaN LED為研發重點 投入新產品、相關產品領域 應用 大型全彩顯示器、各類號誌為發展重點 我國LED技術現況與趨勢(表二) 材料 技術現況 未來發展 相關單位 GaN (MOVPE) 研發階段 (全彩)顯示、光源、照明等應用 工研院光電所，核能所、國聯、晶元、鴻程、學校等 GaP(LPE)、 GaAsP(VPE)、 GaAs(LPE) 仍為發展重點 強化上游地位 台科、漢光、信越、光磊、國聯、晶元等 AlGaAs 紅光高亮度 紅外光高速高功率 工研院光電所、漢光、光磊、國聯、晶元等 AlGaInP (MOVPE) 已量產 黃(570nm) 橘紅(590nm) 紅(620nm) 提升MOCVD量產技術、檢測計術 工研院光電所、國聯、晶元、全新等 Polymer LED 研發階段 顯示、光源、照明等應用 工研院光電所、漢光、學校等 白光LED 研產中 顯示、光源、照明等應用 工研院光電所、億光、學校等 InGaN材料 用InGaN的原因： 幾乎所有的研究單位、學術單位都將研究重點放在2-6族的化合物上，雖然已有發出光，但仍麵臨著穩定度的問題，光在數小時內即消失，使其無法應用於商業上。以2-6為材料的光發射器，隨著材料內部缺陷的形成與擴散，僅能維持一至數百的小時，然而GaN的材料有個很棘手的問題是材料缺陷密度太高，但除此之外，穩定度非2-6族所能及，但也許這個棘手的問題正是GaN能致勝的原因。(註二) 2-6族的優點是它們具有相同的晶格結構，但2-6足的半導體長晶的溫度(400℃)比起GaN(1000℃)來低得太多了，而且易碎，皆影響到其生命期；與GaN相關的材料皆在1000℃以上長晶，在原子排列的過程中加高溫再退火，使它們結構穩定且較堅硬。 因生長溫度高可使原子有充分的能量進行排列，因此它們雖然缺陷密度高但結構卻相當穩定(註三)；且因有氮的混入，使其受環境溫度變化的影響小，對溫度的適應性高。 (圖一)AlGaN發光二極體元件圖 長晶過程： a.先將基板(Al2O3)在一大氣壓的氫氣中加熱至1050℃，在將其降溫至1000℃來長GaN的薄膜，如圖，在沉殿的過程中，主流H2、N2、TMG的流速分別為1.01mole/min、5.01mole/min、54(mole/min，TMG為Ga的來源；副流的H2、N2流速分別為10mole/min