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Contents
20118/9
Cover Story
14 28
Nano-porous dielectrics and copper barriers for 28nm and below
45 low-k ILD
low-k
28
ILD
k
- Harry Whitesell, Eric Hollar, Kang Sub Yim, Li-Qun Xia, Thomas Nowak, Applied
Materials, Santa Clara, CA USA
Semiconductor Manufacturing
18
Air gaps for interconnects: ready to go?
IC
RC IC k
Si-F Si-CH3
Si-O SiO2 k k
k k 45%-50%
- Gerald Beyer, Marianna Pantouvaki, Zsolt Tokei, IMEC, Leuven, Belgium
21
Scaling transistors: from new materials to new device architectures
, CMOS
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