第8章III-V族多元化合物半导体.PDFVIP

  • 52
  • 0
  • 约2.26万字
  • 约 44页
  • 2017-06-29 发布于安徽
  • 举报
第8章 III-V族多元化合物半导体 第8章 III-V族多元化合物半导体 吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料 吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料 杂质工程和能带工程 杂质工程:通过对杂质及其浓度在半导体中 空间分布的有效控制来实现半导体的实用价 值。 原位掺杂:在制备材料中掺入杂质 常规掺杂:采用 掺杂 合金、扩散、离 子注入 后掺杂:已制成的晶 锭、晶片、薄层中引 嬗变掺杂:将半导 入杂质

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档