崑山科技大学电子工程系毕业专题报告.PDF

GaN量 量 立 金 C880K011 老羅 老 年 1 錄 錄KKKKKKKKKKKKKKKKKKKKKKKKKKKK2 1.1 KKKKKKKKKKKKKKKKKKKK3 1.2 KKKKKKKKKKKKKKKKKKKK4 GaN 料理論 2.1 GaN 料KKKKKKKKKKKKKKKKKKK5 2.2.1 P-wave 雷 KKKKKKKKKKKKK7 2.2.2 S-wave 雷 KKKKKKKKKKKKK9 2.3 KKKKKKKKKKKKKKK10 量 3.1 量 KKKKKKKKKKKK12 3.2 量 KKKKKKKKKKKKKKKKKK15 3 .3 量 KKKKKKKKKKKKKKKKK19 3.3.1 Gated Integrator KKKKKKKKKK20 3.3.2 RS-232 切KKKKKKKKKKKKKKKKK26 3.3.3 切KKKKKKKKKKKKKKKKKK29 3.3.4 KKKKKKKKKKKKKKKK32 3.3.5 LabView KKKKKKKKKKKKK35 論 KKKKKKKKKKKKKKKKK37 參KKKKKKKKKKKKKKKKKKKKKKKKKK39 2 1.1 更度 零都 -量 GaN 藍 料 RGB 都 了 了 量量都 料 量 了量利 來GaN Sapphire lattice mismatch Sapphire amorphous GaN 來降 dislocation stress量異 量 GaN行了量 來 量數 料理量 來量 3 1.2 利 金 沈 Sapphire GaN Sapphire GaN 不數不 GaN Sapphire 度 度 α-GaN 來 GaN GaN 度 GaN Sapphire buffer layer 論 lattice mismatching 料 stress 利 來 GaN crystal buffer layer Sapphire 理論來量 來 料 量不 參數異 參數 MOCVD MBE 來更 4 GaN 料理論 2.1 GaN 料 GaN 料 energy gap 3.47eV ο ο ο 藍 GaN wurtzite (a=3.14 Α, c=5.169 Α u=0.3768 Α) lattice match 論 量 Sapphire 0001 MOCVD 60025nm α-GaN 1040GaN Sapphire Sapphire 來Sapphire Sapphire GaN Sapphire GaN 不數不 GaN Sapphire 度 度 α-GaN 來 GaN GaN C6v(6mm) ⎡ 0 0 0 0 d15 0⎤