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超结理论的产生与发展.pdf
36 1 Vol36, 1
2006 2 Micr oelectr onics Feb2006
田 波, 程 序, 亢宝位
( , 100022)
TM
: 对超结理论的产生背景及其发展过程进行了介绍以应用超结理论的COOLMOS 器
为例,介绍了超结器 的工作原理存在的缺点以及提出的改进方法; 并对其他基于超结理论的
器 进行了简单介绍
TM
: 超结器 ; 功率半导体器 ; COOLMOS ; 导通电阻; 击穿电压
: T N36 : A : 2006)
The Development and Application of Superjunction Theory
TIAN Bo, CHENG Xu, KANG Bao ei
( L abor atory of Pow er S emicond uct or D ev ic es and I Cs , Beij i ng Univ ers i ty of T ech no ogy , Beij i ng 100022, P. R. Chi na)
Abstract: The generation of superjunction theory and its development are introduced. With COOLMOSTM device
as an example, the operational principle of superjunction devices based on superjunction theory is discussed, along
ith its shortcomings and techniques for improvement. Finally, other applications of the superjunction theory are
described in brief.
T M
Key words: Superjunction device; Po er semiconductor device; COOLMOS ; Onresistance; Breakdo n volt
age
EEACC: 2560
, MOSFET
1 引 言 (1)
+ +
, p n
+ -
p ( n )
PN , ,
,
, ,
IC , ,
, ,
,
( ) , ,
MOSFET,
20 70 , (
)
, MOSFET
, ,
,
, R ON ,
MOSFET ,
1 VDM OS
VB ,
: 2005062
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