一种失调电压补偿电容比例型带隙基准源设计.pdf

第 45 卷 　第 1 期 复 旦 学 报 ( 自然科学版) Vol . 45 No . 1 2006 年 2 月 Journal of Fudan Univer sity (Natural Science) Feb . 2006 　　文章编号 : 04277 104 (2006) 0 1003004 一种失调电压补偿电容比例型带隙基准源设计 何菁岚 ,李 　强 ,韩益峰 , 闵　昊 (复旦大学 专用集成电路与系统国家重点实验室 ,上海 200433) 摘 　要 : 设计了一种全新的电容比例型带隙基准源 ,用电容比例取代了通常的电阻比例 ,有效地减小了电路设 计误差以及电路的功耗 ,理论失调电压可获补偿. 电路采用 Cadence Sp ectre 软件仿真 ,Charter 0 . 35 μ m CMOS 工 ( μ ) 艺库实现. 仿真结果表明 ,该电路具有极低的电路功耗 8 W ,其直流电源抑制比PSRR 达到 50 dB ,温度系数为 3 ×10 - 5 V/ ℃. 关键词 : 集成电路 ; CMOS ; 带隙基准源 ; 电容比例 ; 低功耗 中图分类号 : TN 402 ; TN 43 1. 1 　　　　　文献标识码 : A 　　基准电压源是集成电路中一个重要的单元模块 ,是 A/ D ,D/ A 转换器以及通信电路中的一个基本元 件. 它的温度稳定性以及抗噪声能力是影响A/ D ,D/ A 转换精度的关键因素 ,甚至影响到整个系统的精度 和性能. 因此 ,设计一个好的基准电压源具有十分重要的现实意义. 由于带隙基准电压源能够实现高电源 ( ) 抑制比 powersupply rej ection ratio ,PSRR 和低温度系数 ,这种电路结构是 目前各种基准电压源电路中性 能最佳的电路形式. ( ) 本文采用一级温度补偿 基准源对温度的微分在室温下为零 和电容比例技术设计了高性能 CMO S 带隙电压基准源电路. 带隙基准源电路中的深度负反馈运算放大器为一种低失调 ,高增益折叠共源共栅运 放结构. 1 　电路结构 1. 1 　传统带隙电压基准源结构 图 1 给出了带隙电压基准源的原理示意图 ,结压降 VB E在室温下的温度系数约为 - 2 . 0 mV/ K ,而热 电压 V T ( V T = k0 T/ q) 在室温下的温度系数为 0 . 085 mV/ K ,将 V T 乘以常数 K 并和 VB E相加可得到输 出电压 V ref [ 1 ,2 ] , ( ) V ref = VB E + K V T . 1 图 1 　带隙电压基准源的原理图 图2 　常用的 CMOS 带隙电压基准源 Fig. 1 　Bandgap voltage reference diagram Fig. 2 　General bandgap voltage reference 收稿 日期 : 2005030 1