多晶硅高温压力传感器的芯片内温度补偿.PDF

维普资讯 2004年3月 传 感 技 术 学 报 第1期 On-C·hipTemperatureCompensationTechnologyofHigh-T·emperature PolysiliconPressureSensor PANG ， ZHANG Sheng—cai，YAOSu—ying，ZHANG Wei (ASICDesignCenterofTianjinUniv．，Tianjin300072，China) Abstract： A newmethodtoimprovethetemperaturedependenceofpolycrystallinesiliconpressuresensorispresented． Bymeansofintegratingpolycrystallinesiliconresistornetworkandatemperaturesensoronchip，thetemperature coeffi- cientofoffset(TCO)andsensitivity(TCS)ofthesensorareeffectivelycompensatedtoI×10一／℃and一2×10一／oC， respectively．Showingadvantagesofwidecompensatingrangeandgoodcompatibility，thismethod isaquitepracticalway fortemperature compensationofthehightemperaturepiezoresistivepressure sensor． Keywords： high-temperature polycrystallinestallinesiliconpressuresensor；temperature independence；sensitivity； dopingconcentration 多晶硅高温压力传感器的芯片内温度补偿 庞 科，张生才，姚素英，张 为 (天津大学， 专用集成电路设计中心， 天津 摘要：提出了一种新的改善传感器温度特性的方法 。通过在压力传感器芯片上集成多晶硅 电阻网络与温度传感 器 ，借助传感器信号处理单元 ，可 以方便地实现对灵敏度系数的补偿。经过补偿 ，传感器 的零点温漂达到 1× 10“／℃，灵敏度温漂低于 一2×10“／℃。这种方法补偿的温区宽，具有很强的通用性，使高温压力传感器十分有效 的温度补偿方法。 关键词 ：多晶硅高温压力传感器 ；温度补偿 ；灵敏度；掺杂浓度 中图分类号 ：TP212．1 文献标识码 ：A 文章编号 ：1004—1699(2004)01—01l8—04 在半导体应变式压力传感器中，多晶硅压力传 硅压力传感器相比，多晶硅传感器不仅工作温度高， 感器是高温特性较为优异 的一种。与一般的P—N 其温度漂移也很小，灵敏度温漂一般可达到(一5～ 结隔离的扩散电阻不同，多晶硅 电阻采用 SiO，没有 6)×10 ／℃。 反向漏电，从而使传感器可用于较高的温度下。此 然而，在不同的实际应用中，由于高温压力传感 外 ，多晶硅工艺可与集成 电路兼容，简单成熟 ，关键 器的工作区温度宽，在汽车等特殊环境下人们对于 工艺的可控性强 ，其阻值容易用激光修正。与扩散 其温漂有着更严格的要求 ，往往需要对其温度特性， 收稿 日期 ：2003—08．29 作者简介：庞 科 (1978一)女，2001年毕业于天津大学 电子信息工程学院微电子专业，同年考入本校微电子专业攻读硕士， 主要从事于集成电路设计 ，半导体传感器及光电器件的研究，cocopang@twtmail．tju．cn； 张生才 (1945一)男，1993年任天津大学电子信息学院副教授 ，硕