硅基硒纳米颗粒的发光特性研究-物理学报.PDFVIP

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 17 (2013) 177802 硅基硒纳米颗粒的发光特性研究* 1† 2 3 2 2 2 1 潘书万 陈松岩 周笔 黄巍 李成 赖虹凯 王加贤 1) ( 华侨大学工学院, 泉州 362021 ) 2) ( 厦门大学物理系, 半导体光子学研究中心, 厦门 361005 ) 3) ( 闽江学院物理学与电子信息工程系, 福州 350108 ) ( 2013 年4 月19 日收到; 2013 年5 月28 日收到修改稿) 由于尺寸缩小引起的量子效应, 硒(Se) 材料的低维纳米结构具有更高的光响应和低的阈值激射等特性, 因此成 为纳米电子与纳米光电子器件领域一个重要的研究方向. 本文通过对非晶硒薄膜的快速热退火来制备硒纳米颗粒, 退火温度在100—180 ◦C 之间时, 结晶后的硒纳米颗粒均为三角晶体结构, 其颗粒尺寸随退火温度的增加而线性增 大. 光致发光谱测试发现三个发光峰, 分别位于1.4 eV, 1.7 eV 和1.83 eV. 研究发现位于1.4 eV 处的发光峰来源于非 晶硒缺陷发光, 位于 1.83 eV 处的发光峰来源于晶体硒的带带跃迁发光; 而位于1.7 eV 处的发光峰强度随激发功率 增强而指数增大, 且向短波长移动, 该发光峰应该来源于非晶硒与硒纳米颗粒界面处的施主-受主对复合发光. 关键词: 硅基, 硒纳米颗粒, 光致发光, 施主-受主对 PACS: 78.55.−m, 78.67.−n, 61.46.Df DOI: 10.7498/aps.62.177802 带隙为 1.95 eV. 而单斜晶体结构的带隙为2.05 eV. 1 引言 对于晶体Se 纳米结构的光学特性早在上世纪就开 始被研究, Rajalakshmi 和Arora6 在聚合物中合成 近年来, 人们对硒(Se) 这个古老的半导体材料 了Se 纳米颗粒, 通过吸收谱和光致发光谱分析了 再一次产生了极大的兴趣, 因为他具有两个重要的 光谱的蓝移是由于量子限制效应引起的. He 等12 1 半导体特性: 单向导电性和杰出的光电导特性 , 制备的Se 纳米结构的发光在1.54 eV 处, 他们认为 而且他的低维结构具有更优越的半导体特性. 由于 是来之于Se 链的共享电子对的σ ∗ 带跃迁发光. 最 尺寸缩小引起的量子效应, Se 纳米结构的物理和 近, 国内北京大学和清华大学对Se 的纳米颗粒和 化学特性都发生了重大的改变, Se 的低维纳米结 纳米线的光电器件进行了深入的研究, Liao 等 13 2 3 4 构如Se 纳米线 、纳米管 、纳米带 、纳米颗 制备的Se 纳米线晶体管的空穴浓度在有无光照下 粒5−7 等在非线性光学、超高速的光响应、超导 分别为41 ×1017 和25 ×1018 cm−3 , 随着触发电压 和低阈值的激射等领域中获得应用. Se 纳米结构的 从20 V 降到−20 V, 他的光电开关比率从4 升高到 8 3 制备方法也有很多种, 例如热液合成法 、激光消 160. Chen 等 制备了S