第02章 晶结构与缺陷3.pptVIP

第二章 晶体结构与缺陷 2.5 晶体缺陷 在前面讨论晶体结构时，我们都认为晶体中的质点在三维空间中的排列严格遵循着周期性的规律，晶体中的所有质点都是处在各自的平衡位置，处于能量的最低状态，因而系统也是最稳定的。然而在实际的晶体中质点的排列不可能是如此有规律和完整的，在局部存在着各种各样的结构的不完整性。 理想晶体： 质点严格按照空间点阵排列的晶体。 （理想晶体中的势场也具有严格的周期性） 晶体缺陷： 指实际晶体中与理想的点阵结构发生偏差的区域。 一般地来说，这些偏差区域的存在并不会严重影响晶体结构的基本特性，仅是晶体中少数原子的排列特征发生了改变，相对于晶体结构的周期性和稳定性而言，晶体缺陷区域显得十分活跃，它的状态容易受外界条件的影响，因而它们的存在（数量、分布等）对材料的行为起着十分重要的作用。 第二章 晶体结构与缺陷 5．1 晶体结构缺陷的类型 5．1．1 按几何形态的分类 （1）点缺陷 （2）线缺陷 （3）面缺陷 (2)线缺陷： 一维缺陷，是质点在一维方向上偏离理想晶体中的周期性、规则性排列所产生的缺陷，这种缺陷的尺寸在一维方向上较长，而在另外的二维方向上很短。线缺陷的最具体的形式是各种类型的位错，它们的产生及运动与材料的韧性、脆性等有密切的关系。 线缺陷是一维缺陷