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ATC // AVX MOS 单层电容 金属氧化物半导体 ATC//AVX 薄膜工艺技术提供在指定范围内能自定制的 薄膜金属氧化物半导体 (MOS) 单层电容, 适用于射频/ 微波和毫米波应用。该氧化硅电介质是采用高温处理 所制成, 因而它具有优异的一致性和稳定性。 ATC//AVX 薄膜工艺技术的独特工艺加工与材料集合使 MOS 电容器具有高 Q 值, 优越的温度稳定性, 高介质强 度, 高绝缘电阻和低 ESR。提供广泛的终端金属化, 可用 于促进环氧, 焊接芯片粘接, 热声和超声波焊接及金或 铝丝焊。我们欢迎您查询有关此电容产品自定特殊的 设计和应用。 如您想获得更多的信息, 请与工厂咨询。 优点 • 长方形尺寸达到数毫米(mm) • DC 到 GHz 的操作 长 (100s mils) • 高 Q