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一种采用SiGe HBT的新型超宽带有源可调衰减器.pdf
Vol.毡， No. 1
第 43 卷第 1 期
微电子学
Feb. 2013
2013 年 2 月 Aficroelectronics
一种采用 SiGe HBT 的新型超宽带有源可调衰减器
邢尤辉，张万荣，谢红云，丁春宝，陈 亮，郭振杰，路志义，张嗡洁，周永强
(北京工业大学电子信息与控制工程学院，北京 100124)
摘 要: 提出一种以 SiGe HBT 为有源器件的超宽带有源可调衰减器。在超宽频带内实现了宽
增益调节范围和高线性度。详细分析了有源衰减器的最小插入损耗及最大衰减量，基于]azz O. 35
μm SiGe HBT 工艺，通过选择合适的 SiGe HBT 有源器件，完成了超宽带有源可调衰减器的设计。
利用安捷伦公司的 ADS 仿真软件，对设计的有源可调衰减器进行仿真验证。结果表明，在 3. 1~
10.6 GHz 的超宽带内，当电压在 O. 4~1. 8 V 的范围内变化时，该有源可调衰减器的增益动态范
围大于 50 dB， Sl1在整个电压变化范围内均低于-10 dB. 且输入 3 阶交调点CIIP3) 为 13 dBm。
关键词: 超宽带;有源衰减器;可调衰减器; SiGe HBT
中国分类号: TN715 文献标识码:A 文章编号: 1004-3365(2013)01-0010-04
A Novel UWB Active Variable Atteouator ßased 00 SiGe HBT
XING Guanghui. ZHANG Wanrong. XIE Hongyun. DING Chunbao. CHEN Liang.
GUO Zhenjie. LU Zhiyi. ZHANG Yujie. ZHOU Yongqiang.
(School of Electronic Infom皿tion and ωllrol Engineering. Beijing University of Technology. Beijing 100124. P. Rαina)
Abstract: An ultra-wide band (UWB) active attenuator with SiGe HBTs as active devices was proposed. which
achieved wide gain dynamic range and high linearity in UWB. The minimum insertion loss (lL) and maximum
attenuation of the active attenuator was analyzed in detail. Based on O. 35μm SiGe HBT process , an ultra-wideband
(3.1 - 10. 6 GHz) active variable attenuator was designed by choosing proper SiGe HB士s. The active variable
attenuator was simulated and verified using Agilent ADS design kit. Results indicated that the circuit achieved a gain
dynamic range over 50 dB , an Sl1 lower than -10 dB , and an input 3cd -order in
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