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一种采用电阻串复用结构的12位SAR ADC.pdf
第 42 卷第 3 期 微电子学 Vol. 42 , No. 3
2012 年 6 月 Microelectronics JIll1. 2012
一种采用电阻串复用结构的 12 位 SAR ADC
关允趋，宁宁，张军，杜钥，吴克军.范洋，冯纯益
(电子科技大学 电子辞膜与集成器件国家重点实验室，成都 610054)
摘 要: 针对带数字校准功能的逐次逼近模/数转换器(SAR AIX刀，提出将主 DAC、校准 DAC
和基准电压产生电路的电阻串进行主用，从而显著减少了芯片面积，降低了功耗。相比 6 十日两段
电容结构 DAC，采用电阻电容混合结构的主 DAC 和校准 DAC 节约了 37% 的版图面积。在 0.18
μmCMOS 工艺下.通过 Hspice 仿真，SAR AD.二的 DNL 和 INL 均小于 0.4 LSB， SNR 为 75 dB ,
系统正常工作时，总功耗为 3.1 mW，比不采用电阻串复用的结构减少 o. 9 mW ,
关键词: 模/数转换器;也阻串复用;逐次逼近寄存器;数字校准
中图分类号: TN432 文章编号:1004-3365(2012)03-0311-04
文献标识码:A
A 12-Bit SAR A/D Converter with Resistor String Sharing Structure
GUAN Yunchao. NING Ning. ZHAI\jG Jun. DU Ling. WU Kejun. FAN Yang. FENG Chunyi
(State Key Lab 0f Elec阳位 η四 F由回回rdl晒g田ed Iln
Abstract: A new structure was proposed for succcssive approximation register A/D converter (SAR ADO with
digital calibration functio口， in which the main DAC , calibration DAC and reference voltage generator sbared the
same resistor string. With this tεchnique， chip area and power dissipation could be remarkably reduced. Compared
to DAC with 6 十6 two- segment capacitor structure , main DAC and calibration DAC with resistor-capacitor hybrid
structure could save about 37 %of layout area. Hspice simulati口n based on O. 18μm CMOS process show创 tbat the
proposed SAR A政丁 bad a DNL and INL less than O. 4 LSB and a SNR of 75 dB. For normal opeJ咄on ， the systern
dissipated a total power of 3.1 mW , which was O. 9 mW less tban the structure with separate resistor strings.
Key words: A/D converter ,R臼ister string sharing ,Successive approximation register ,Digital calibration
EEACC: 1265; 1280 ,2570D
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