半导体器件电气工程.pptVIP

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2017-07-01 发布于河南
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半导体器件电气工程.ppt

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半导体器件电气工程

;;10.1.1 本征半导体;硅和锗的共价键结构;10.1.2杂质半导体;N型半导体;空穴;杂质半导体的示意表示法;;;扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽，空间电荷区越宽。;;10.2.2 PN结的单向导电性;PN结正向偏置;PN结反向偏置;10.2.3 半导体二极管;(2)、伏安特性;（3）静态电阻Rd ，动态电阻 rD;（3）静态电阻Rd ，动态电阻 rD;例1：二极管：死区电压=0 .5V，正向压降＝0.7V(硅二极管) 理想二极管：死区电压=0 ，正向压降=0 ;例2：二极管的应用(设RC时间常数很小）;;VR;利用二极管的单向导电性可作为电子开关;两个二极管的阴极接在一起取 B 点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。;例5：求(1).vI=0V,vI=4V,vI=6V 时，输出v0的值。 (2). Vi=6sinωt V 时，输出v0的波形。;例6：理想二极管电路中 vi=V m sinωt V，求输出波形v0。;例3： ;§10.3 稳压二极管;例：稳压二极管的应用;;§10.4 半导???三极管;B;;发射结;10.4.2 电流放大原理;;静态电流放大倍数;10.4.3 特性曲线; IB 与UBE的关系曲线（同二极管）;（2）输出特性(IC与UCE的关系曲线);输出特性;输出特性三个区域的特点:;例： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当USB = -2V，2V，5V时，晶体管的静态工作点Q位于哪个区？;IC;三极管的技术数据：（自学）（1）电流放大倍数? （2）集-射间穿透电流ICEO （3）集-射间反向击穿电压UCEO (BR) （4）集电极最大电流ICM （5）集电极最大允许功耗PCM