一份氯离子Cl-与其最邻近的八个一价铯离构成如图所示的立方晶格结构.DOC

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一份氯离子Cl-与其最邻近的八个一价铯离构成如图所示的立方晶格结构

第十一章 静电场 11-1 在氯化绝晶体中,一价氯离子与其最邻近的八个一价铯离构成如图所示的立方晶格结构。(1)求氯离子所受的库仑力;(2)假设图中箭头所指处缺少一个铯离子(称作晶格缺陷),求此时氯离子所受的库仑力。 11-2 若电荷均匀地分布在长为L的细棒上,求证: 在棒的延长线,且离棒中心为r处的电场强度为 在棒的垂直平分线上,离棒为r处的电场强度为 若棒为无限长(即∞),试将结果与无限长均匀带电的电场强度相比较。 11-3 一半径为R的半圆细节上均匀地分布电荷Q,电荷面密度为σ,求球心处电场强度的大小。 11-4 两条无限长平行直导线相距为r0,均匀带有等量异号电荷,电荷线密度为λ。 (1)求两导线构成的平面上任意一点的电场强度(设该点到其中一线的垂直距离为x); (2)求每一根导线上单位长度导线受到另一根导线上电荷作用的电场力。 11-5 设匀强电场的电场强度E与半径为R的半球面对称轴平行,试计算通过此半球面的电场强度通量。 11-6 如图所示,边长为a的立方体,其表面分别平行于xy,yz和zx平面,立方体的一个顶点为坐标原点,现将立方体置于电场强度为 的非均匀电场中,求立方体各表面及立方体的电场强度通量。 11-7 设在半径为R的球体内,其电荷为对称分布,电荷体密度为 ρ=kr 0≤r≤R ρ=0 r R k为一常量。试用高斯定理求电场强度E与r的函数关系。(你能用电场叠加原理求解这个问题吗?) 11-8 如图所示,一无限大均匀带电薄平板,电荷面密度为σ。在平板中部有一个半径为r的小圆孔。求圆孔中心轴线上与平板相距为x的一点P的电场强度。 11-9 一无限长、半径为R的圆柱体上电荷均匀分布,圆柱体单位长度的电荷为λ,用高斯定理求圆柱内距轴线距离为r处的电场强度。 11-10 一个内外半径分别为R1和R2的均匀带电球壳,总电荷为Q1,球壳外同心罩一个半径为R3的均匀带电球面,球面电荷为Q2,求电场分布,电场强度是否为离球心距离r的连续函数?试分析。 11-11 如图所示,有三个电荷Q1,Q2,Q3,沿一条直线等间距分布,已知其中任一点电荷所受合力均为零,且Q1= Q1= Q3,求在固定Q1,Q3的情况下,将Q2从O点推到无穷远处外力所做的功。 11-12 已知均匀带电直线附近的电场强度近似为 其中λ为电荷线密度。 ⑴求在 和 两点间的电势差; ⑵在点电荷的电场中,我们曾取∞处的电势为0,求均匀带电直线附近的电势能否这样取?试说明。 11-13 两根很长的同轴圆柱面(R1=3.00×10-2m,R2=0.10m) 11-15 已知水分子的电偶极距P = 6.17×10-30 C·m,这个水分子在电场强度 E = 1.0×V·的电场中所受力矩的最大值是多少?

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