单晶硅缺陷的分析.PDF

第32卷第4期 湖南科技学院学报 、，01．32NO．4 JournalofHunan ofScienceand 1 2011年4月 University Engineering Apr．201 单晶硅缺陷的分析 钟丽菲 (湖南科技学院，电子工程系，湖南永州425100) 摘 要：晶体硅中的杂质或缺陷会显著地影响各种硅基器件的性能。用常规化学腐蚀法显示出单晶硅中的缺陷，观察典 型的位错。通过实验发现缺陷分布的一般规律：中间尺寸大，密度小，边缘尺寸小，密度大，验证缺陷对杂质的吸收。 关键宇：单晶硅；缺陷；化学腐蚀法；消除与控制 1)04-0031-03 中图分类号：TNl6，TN4文献标识码：A 文章编号：1673—2219(201 0引 言 硅是全球第一产业——电子信息技术产,_IEPJ,及新能源产业——太阳能光伏电池产业的基础材料Il】。随着网络时代的到来。 半导体产业将发展到新的高潮。为适应深亚微米、亚四分之一微米甚至纳米级集成电路的要求，硅单晶材料在增大直径的同 时，对其结构、电学、化学特征的研究也将日益深入；缺陷控制、杂质行为、杂质与缺陷的相互作用以及提高晶片的表面质 量仍将是工艺技术研究的主攻方向。另外，在光伏工业中广泛采用太阳能电池用单晶硅和铸造多晶硅，在这些材料中存在着 高密度的位错，金属杂质或晶界等缺陷。而这些缺陷和杂质的交互作用使得太阳能电池的转换效率显著下降，因此观察这些 硅材料中缺陷和杂质的交互作用对于采用合适的吸杂工艺提高太阳能电池的转化效率有着十分重要的作用瞄J。 由于缺陷影响硅单晶的质量，对器件也有不良影响，我们不得不研究其性质、行为。但是，在研究过程中遇到越来越多 的问题：对于已发现的主要缺陷，其机制研究一直没有重大突破；消除和控制方法也还处于探索之中；检测方法、检测手段 也有待进一步的提高pJ。 1实验 ， 晶体缺陷的实验观察方法有许多种，如透射电子显微镜、x光貌相技术、红外显微镜及金相腐蚀显示等方法14J。由于 金相腐蚀显示技术设备简单，操作易掌握，又较直观，是观察研究晶体缺陷的最常用的方法之一。在本次实验中，我们就采 用金相腐蚀显示法，通过使用不同的腐蚀液和腐蚀方法显示单晶硅中各种不同的缺陷蚀坑，然后用金相显微镜来观察、区分 和研究各种蚀坑的形态，定量计数比较缺陷密度大小，并用金相显微摄影仪拍摄各种缺陷的典型照片。 1．1化学腐蚀机理 样品在进行光学检测之前，必须经过腐蚀抛光以显露其缺陷。腐蚀剂的种类繁多，但组分却不外乎氧化剂，络合剂和稀 氧化成分多，则抛光作用强；如果络合和稀释成分多，则有利于作选择性腐蚀。 通常用的非择优腐蚀剂的配方为：自腐蚀剂，适用于化学抛光，配方为：l-W(40-42％)：HNo=I(65％)=1：2．5 通常用的择优腐蚀剂主要有以下二种： (1)Sirtl腐蚀液，先用Cr03与去离子水配成标准液，标准液=509Cr03+1009 (2)Dash腐蚀液，配方为：I-IF(40-42％)：HN03(65％)：CH3COOH(99％以上)=1：2．5：10 1．2金相显微原理 金相显微镜是通过观察不透明物体的反射光来表征物体的表面特征，不同结构和性能的显微镜存在较大差异，其中有以 Nomarski式差动干涉反衬显微镜为代表的高级型金相显微镜。其关键部件是用于分离光束的棱镜，经棱镜分离后，光束变 收稿13期：2010—12—05修改日期：2011—02—28 基金项目：永州市2010年度指导性科技项目。 作者简介：钟丽菲(1983--)，女，永州市零陵人，助理实验师，工学学士，主要研究方向为电子通信工程方向。