单晶，多晶.PPT

第一章 硅材料及衬底制备 本章重点： 1.半导体材料的主要特点 2.硅的晶体结构 3.硅单晶材料的加工制造过程 4.直拉法生长单晶过程 5. 集成电路的发展对硅片的要求 半导体材料 目前用于制造半导体器件的材料有： 元素半导体（Si Ge） 化合物半导体（GaAs InSb锑化铟） 本征半导体： 不含任何杂质的纯净半导体，其纯度在99.999999%（8~10个9）。 掺杂半导体： 半导体材料对杂质的敏感性非常强，例如在Si中掺入千万分之一的磷( P )或者硼（B），就会使电阻率降低20万倍。 1839年，法国科学家贝克雷尔(Becqurel)就发现，光照能使半导体材料的不同部位之间产生电位差。这种现象后来被称为“光生伏打效应”，简称“光伏效应”。 1.2半导体材料硅的结构特征 物质分为晶体(单晶，多晶)和非晶体 单晶体:由原子或分子在空间按一定规律周期性地重复排列构成的固体物质。 （1）一种物质是否是晶体是由其内部结构决定的，而非由外观判断； （2）周期性是晶体结构最基本的特征 多晶体：小区域内原子周期性排列，整体不规则 非晶体：原子排列无序 晶体的特点 1）均匀性,原子周期性排列. 2）各向异性,也叫非均质性.(各个方向上物理和化学性质不同) 3）有明显确定的熔点 4）有特定的对称性 5）使X射线产生衍射 100,111平面是单晶晶圆中最常用的方向。100的晶圆较常用来作金属氧化物半导体集成电路，而111方向的晶圆则通常用来制造双极型晶体管和集成电路，因为111方向的原子表面密度高，故该面较为坚固且比较适合高功率的元件。 晶体的缺陷 点缺陷 线缺陷（位错） 面缺陷（层错） 1.5半导体硅材料及硅衬底晶片的制备 制备原材料－－多晶硅（polysilicon） 多晶硅按纯度分类可以分为冶金级（工业硅）、太阳能级、电子级。 1、冶金级硅（MG）：是硅的氧化物在电弧炉中被碳还原而成。一般含Si 为90 - 95% 以上，高达 99.8% 以上。 2、太阳级硅 (SG)：纯度介于冶金级硅与电子级硅之间，至今未有明确界定。一般认为含Si在 99.99 %– 99.9999%（4～6个9）。主要用于太阳能电池芯片的生产制造 3、电子级硅（EG）：一般要求含Si 99.9999 %以上，超高纯达到99.9999999%～99.999999999%（9～11个9）。其导电性介于 10-4 – 1010 欧厘米。主要用于半导体芯片制造。 多晶硅的制备 单晶硅制备 单晶硅性能测试 单晶硅加工，形成晶圆 多晶硅的制备方法 四氯化硅还原法 三氯氢硅氢还原法 硅烷热分解法 四氯化硅还原法（从砂到硅） 石英砂的主要成份是二氧化硅 从沙到冶金级硅 (MGSmetallurgical grade(MG) silicon纯度98％～99％) MGS 粉末放进反应炉和氯化氢反应生三氯硅烷(TCS) 经由气化和凝结过程纯化三氯硅烷 三氯硅烷和氢气反应生成电子级硅材料(EGS) EGS熔化和晶体提拉制备单晶硅 直拉法 悬浮区熔法 四氯化硅还原法（从砂到硅） 制备TCS（三氯硅烷） 电子级硅材料 反应室 电子级硅材料 1.直拉法：晶体主流生长技术 1）设备：石英坩埚、高频加热线圈等 2）材料：半导体多晶材料和掺杂物、籽晶 3）条件：（1）结晶温度（2）结晶中心 直拉法:切克洛斯基(CZ)法 查克洛斯基法晶体提拉 悬浮区熔法(FZ Method) 兩種方法的比較 查克洛斯基(CZ)法是較常用的方法 價格便宜 較大的晶圓尺寸 (直徑300 mm ) 悬浮区熔法(FZ Method) 純度較高(不用坩堝) 價格較高, 晶圓尺寸較小 (150 mm) 直拉法是生长元素和III-V族化合物半导体体单晶的主要方法。 该法是在盛有熔硅或锗的坩埚内，引入籽晶作为非均匀晶核，然后控制温度场，将籽晶旋转并缓慢向上提拉，晶体便在籽晶下按籽晶的方向长大。 一块具有所需要晶向的单晶硅作为籽晶来生长硅锭，生长的单晶硅就像是籽晶的复制品 坩锅里的硅被单晶炉加热，硅变成熔体 籽晶与熔体表面接触，并旋转，旋转方向与坩锅的旋转方向相反。 随着籽晶在直拉过程中离开熔体，熔体上的液体会因为表面张力而提高。随着籽晶从熔体中拉出，与籽晶有同样晶向的单晶就生长出来。 工艺过程(掌握) 1.籽晶熔接: 加大加热功率，使多晶硅完全熔化，并挥发一定时间后，将籽晶下降与液面接近，使籽晶预热几分钟，俗称“烤晶”，以除去表面挥发性杂质同时可减少热冲击 2.引晶和缩颈：当温度稳定时，可将籽晶与熔体接触。此时 要控制好温度，当籽晶与熔体液面接触，浸润良好时，可开始缓慢提拉，随着籽晶上升硅在籽晶头部结晶，这