在矽基板上高电阻系数之氧化锌感测材料之研制在-高雄海洋科技大学.PDF

在矽基板上高電阻係數之氧化鋅感測材料之研製在矽基板上高電阻係數之氧化鋅感測材料之研製 在矽基板上高電阻係數之氧化鋅感測材料之研製在矽基板上高電阻係數之氧化鋅感測材料之研製 Study of High Resistivity Zinc Oxide Humidity Sensing Material Grown on Silicon Wafer 楊誌欽 Chih Chin Yang 國立高雄海洋科技大學 微電子工程系 高雄市 811 楠梓區海專路 142 號 Department of Microelectronics Engineering, National Kaohsiung Marine University, 142, Road, Kaohsiung, 811 Taiwan Republic of China chchyang@mail.nkmu.edu.tw 摘要摘要 摘要摘要 本研究利用濺鍍薄膜法在矽基板製程技術成長氧化鋅薄膜 ，研究中通入摻雜 惰性氣體的氮氣 ，因為它不會和氧化鋅形成反應 ，若是在高溫中成長反而會去抑 制氧原子的流失 ，若是未通入氮氣氣體所成長出氧化鋅薄膜 ，氧的缺陷會增加 。 所以 ，氧化鋅薄膜經由該技術成長之後 ，再經由快速熱退火處理 ，依據文獻資料 顯示 ，將退火溫度設定在 400℃退火時，若同時通入氮氣和氧氣氣體 ，氧氣會補 足氧化鋅中氧原子的缺陷 ，氮氣也將減少氧化鋅薄膜中氧原子的損耗 ，所以，氧 化鋅薄膜退火後的特性比退火前的特性較佳 。另外，藉由LCR 量測儀的量測 ， 發現氧化鋅薄膜確實能具有良好的濕度感測反應 ，雖然對於濕度的感測反應並不 很明顯 ，但可以藉由氧化鋅薄膜表面面積的增加 ，以及製成奈米線或奈米柱，將 會使濕度感測器的感測靈敏度提升 ，本研究也改變氧化鋅薄膜材料成長條件 ，使 氧化鋅濕度感測靈敏度提升 。 關鍵字: : 氧化鋅 、濺鍍、矽製程 :: Abstract In this study, we report epitaxial growth of zinc oxide thin films on silicon (111) substrates using silicon oxide buffer layers. ZnO thin films were deposited on silicon substrates using the reactive DC magnetron sputtering in this study. The sputter was used zinc element as target and the oxygen was flowed into chamber to grow ZnO thin film on silicon wafer. ZnO thin film is discussed in the influence of moisture and nitrogen doping ZnO compost. The nitrogen element interfuse into ZnO thin film by sputtering process, it can result the zinc oxide with changes of resistivity and capacitances after Rapid Thermal Annealing (RTA) process. ZnO thin film is added H O on the thin film surface,