多孔硅对多晶硅太阳电池中缺陷和杂质的吸除效应.PDF

维普资讯 第25卷 第2期 太 阳 能 学 报 Vo1．25．No．2 2004年4月 ACTA ENERGIAE S【)LARISSINICA Apr ，2004 文章编号：0254—0096 (2004)02—0259—04 多孔硅对多晶硅太阳电池中缺陷和杂质的吸除效应 朱 琳1，徐 征 ，许 颖2，李海玲2，王文静2 (1．北京交通大学光电子技术研究所 北京 [00044；2 北京市太阳能研究所 北京 100083) 摘 要：吸杂是减少硅中杂质和缺陷，提高多晶硅太阳电池效率的一种有效手段。本文比较了用三种吸杂方式对多晶 硅进行处理的结果和影响：多孔硅吸杂，磷吸杂，多孑L硅结合磷吸杂。三种吸杂方式都能明显提高多晶硅的少子寿 命。在此基础上研究了多孑L硅吸杂的工艺，发现多孑L硅吸杂的效果随退火的温度和时间影响比较大，在800℃氮气气 氛下退火3h，多晶硅的少子寿命能由原来的1．4 提高到25．6s。相比之下，多孑L硅吸杂工艺简单，更适合工业生产。 关键词：少子寿命；多孑L硅；吸杂 中图分类号：TN304 文献标识码：A 定 。 0 引 言 本文系统地研究了多孔硅对多晶硅中杂质和缺 多晶硅是制作太阳电池的一种主要原料，但由 陷的吸除作用和影响。通过测量少子寿命比较了单 于多晶硅存在大量的微缺陷和较多的铁 ，铜，镍 ， 独的磷吸杂多孔硅吸杂结合磷吸杂和单独的多孔硅 锰，钛等金属杂质，而这些微缺陷和金属杂质在硅 吸杂。这三种吸杂方式都 由明显的吸杂效果，但是 禁带中引入了深能级，成为光生少数载流子的复合 从未有文献对比分析。本文通过实验发现，多孔硅 中心，从而减少 了少数载流子的寿命 ，严重影响了 吸杂效果明显，并且操作简单，利于工业化的生 太阳电池的光电转换效率 【。 产。并在此基础上继续研究了时间和温度对单独的 吸杂技术是提高硅片质量行之有效的方法。用 多孔硅吸杂的影响。 吸杂技术可以吸除硅片表面的金属杂质、点缺陷和 1 实 验 氧化层错的成核中心。吸杂技术分为内吸杂和外吸 杂两大类。内吸杂根据用户要求，由硅片生产厂家 1．1 样品的准备 提供不同氧含量的硅片，由用户结合器件工艺实现 实验中采用5cm×5cm，电阻率为0．5～2 · 内吸除。外吸杂是在硅片背面引入杂质，损伤或沉 CII1P的多 晶硅片 (Bayer)。在温度 80℃、20％ 淀某种薄膜，由此产生的杂质、缺陷或应力与硅片 NaOH碱溶液中处理以去掉硅表面的损伤层。用去 原有的杂质或缺陷相互作用起到吸杂作用。外吸杂 离子水冲洗干净。将硅片放入HCI、 02和H，o 技术的特点是能在器件工艺开始就起作用，所以被 的混合溶液中加热从而进一步清洗，再用去离子水 硅片生产厂广泛采用l2l。 冲洗干净。 多孔硅是一个有4,：fL组成的网状结构，4,：fL的 1．2 样品的制备及实验步骤 尺寸在 10～1000m 3_。多孔硅有希望将表面织构 1)制备多孔硅 ：将多晶硅放入由I~NO3、HF 化、钝化和制备表面减反射层一步完成，而且使多 和 。组成的混合溶液中，腐蚀一段时间后，用 孔硅对硅中的杂质和缺陷有一定的吸除作用 ～ 。 去离子水冲洗干净。多孔硅表面呈蓝色。将制备好 本文中多孔硅可以由化学腐蚀法制备而成的。腐蚀 的多孔多晶硅片放入氮气柜中存储。 液体是由印 (