电光晶体之介绍.PDF

電光晶體之介紹 電光晶體是由特殊材料所製成當收外加電場時, ，其光學性質會 發生改變，這是由於材料內的分子的位置、方向或形狀發生了改變此 現象為光電效應(eletro-optic effect) 。 光電效應(eletro-optic effect)是指當受到直流或交流電場調變時， 材料內的折射率也隨之改變的效應。外電場作用於晶體材料所產生的 光電效應分為兩種，一種是Pockels 效應，產生這種效應的晶體通常 是不具有對稱中心的各向異性晶體；另一種是 Kerr 效應，產生這種 效應的晶體通常是具有任意對稱性質的晶體或各向同性介質。 電光調制的基本原理是在電光晶體上施加交變調制信號，由於晶 體的光電效應，晶體的折射率會隨調制電壓及信號而交替變化。 折射率與外加電場的形式: 一、折射率與外加電場成一次方正比，稱此電光效應為一次電光效應 或 Pockels 效應。Pockels 效應為平面偏振光沿著處在外電場內的壓電 晶體的光軸傳播時發生雙折射現象，且兩個主折射率之差與外電場強 度成正比，此效應是由德國物理學家 Pockels 於 1893 年發現。 二、折射率與外加電場成二次方正比，稱此電光效應為二次電光效應 或 Kerr 效應。Kerr電光效應為放在電場中的物质，由於其分子受到 電力的作用而發生偏轉，呈現各項異性，结果產生雙折射，即沿兩個 不同方向物質對光的折射能力有所不同。 此一現象是1875 年J. Kerr 發現。 電光晶體主要應用在光調製器、掃描器、光開關、電光偏轉器等 器件。