硅的霍耳系数和电导率测量.PDF

硅的霍耳系数和电导率测量 一、目的 掌握测量霍耳系数和电导率的实验方法，测出硅的霍耳系数和电导率随温度变化的数 据，确定硅的导电类型。 二、基本原理 一块宽为 a、厚为 b 的长方形半导体(见图 1)。若在 x 方向上有均匀的电流 IX 流过，再 Z 方向上加均匀磁场 Bz，那么在这块半导体 A、B 两点间（即 Y 方向上）产生一电位差，这 种现象称为霍耳效应。从实验中发现，在弱磁场情况下，霍耳电场 Ey 的大小与电流密度 JX 和磁场强度 B 成正比，即 z E =RJ B y X z 由上式可得 R=E / J B (1) y X z R 称为霍耳系数。在实验上直接测量的是霍耳电位差 VH 。因为， E =V / a y H J =I / ab X X （1）式可以写为 R=V b / I B (2) H X z 如果（２）式中各量所用的单位是 V －伏；I －安培；B －高斯；b－厘米； H X z R－厘米 3 8 /库仑，则应该在(2)式中引入单位变换因子 10 ，把它写成如下形式： R=( V b /I Bz ) * 108 (3) H X 上式为实验中实际应用的公式。 因为电子和空穴的漂移运动是相反的，但是电荷符号也是相反的，磁场对它们的偏转 作用力方向相同。结果在边界上积累的电荷两种情况下相反，因此霍耳电场和电势差是相反 的。照这个道理可以区别电子性导电(n 型)和空穴导电(P 型)。当 E 0，为 p 型，E 0，为 n Y Y 型。 在霍耳效应的简单理论中，对电子和空穴混合导电的半导体，霍耳系数为： R=( pμ 2 2 2 -nμ )/﹝( pμ +nμ ) e﹞ (4) p n p n 对 n 型半导体可简化为： R=﹣1 / ne (5) 对 p 型半导体可简化为： R= 1 / pe (6) (4)、(5)、(6) 各式中，n 和 p 分别表示电子和空穴浓度，μ 和 μ 分别为电子和空穴的