第二章双管正激变换器21变换器电路的结构及其工作原理在工作中.DOC

第二章 双管正激变换器 2.1 变换器电路的结构及其工作原理 在工作中，当变换器电路中只有一个开关管时，则其承受的电压较高，容易被击穿，为了解决这个问题，可以采用两个晶体管串联起来当作一个管子用，从而能够提高电路承受电压的能力。这在能够承受高耐压晶体管较少的时期不失为一种常用的方法。如果，再加上D1、D2两个二极管( 如图1 所示) ，组成了双管正激变换电路拓扑。由于目前工艺水平，MOSFET 管的工作电压不能太高，400V 左右的管子价格较相对低廉，应用在图1 双管正激电路比较适合; 图中二极管D1、D2导通时限制了FET1、FET2关断时所受的反压，开关MOS 管承受电压为Vs + VD，由于DC/DC 变换器输入的直流电压是通过220V 市电整流获得( 约为310V 左右) 的，所以，Vs均在400V 以下。因此，图1 所示双管正激电路具有可靠性高、造价低的优点，在煤矿井下通讯、交通及航天等领域得到广泛的应用。 FET1、FET2同时导通或同时关断。在导通时，电源电压Vs加到变压器T 的原边绕组上。在稳态下，由于上一周期工作时，电感线圈L1已建立的电流，通过D4导通，构成了负载I0的续流电路。 新周期开始，副边绕组由于原边绕组FET1、FET2的导通有了感应电动势。副边绕组、二极管D3很快建立电流，其速度受制于变压器和副边电路的漏电感。因为在导通瞬间L1上流过的电流IL保持不变，所以，由于D3的电流建立，二极管D4的电流必随之等同地快速减小。当D3中的正向电流增加到原先流过D4的电流值时，D4则转为关断。而且L1的输入端( A 点) 电压将增加到副边线圈电压Vs( 减去VD3) 。与此同时开始了正激能量传递状态。 前面的动作只占整个传递期间非常小的部分，其大小依漏感而定。一般电流在1μs 内就建立。但是，在低电压大电流传递时，漏感影响电流的建立非常明显，甚至大到占了全导通期间的相当比例，这时，就影响了能量的传递。因此，漏感应尽可能地小。电流IL按式变化: 这个副边绕组电流可按一般变化关系式n = Np /Ns折算到原边绕组。即: 除了这个折算副边电流外，一个原边电感Lp所定义的磁化电流将流过原边线圈。这个磁化电流使变压器的磁区存储能量，并且这个存储能量在关断瞬间产生反激作用。线路中，通过二极管D1、D2的作用，把反激能量回馈到电源线Vs中。由于D1、D2的导通，FET1、FET2电压都限在Vs值上，因此称“钳位”作用。 因为此回馈电压与原来正向电压近似相等，所以存储能量的回馈时间约等于之前的导通时间( 伏·秒值相等) 。因此，对于这种形式的电路，为防止剩磁积累作用，导通占空比应小于50%。在FET 关断瞬间，副边绕组电压反向，且整流二极管D3关断。在L1反激下D4导通，构成续流回路。D4导通后，“A”点电压与负载端“－”相同。L1两端电压即为负载端电压V0。由于带载缘故IL 续流逐渐减小，降到原来启动值时，FET 又导通，又开始了新的工作周期，如此周而复始。在这个工作过程中，漏感起着很重要的作用。漏感值太大会导致不能输送所需电源功率，因为在关断期间大部分的原边线圈电流回馈电源Vs线里。这导致能量在开关元件和二极管中徒然的损耗。D4反向恢复期间是必须考虑到的。因为在导通瞬间，电流经D3除流入输出电感之外，还在反向恢复期间流入D4的阴极。该电流是短路的电流，折算至原边电流也较大。因此，在FET 导通瞬间，出现电流尖峰，尖峰持续时间也是D4反向恢复阻断的时间，为减少尖峰值，D4需采用具有快速恢复阻断能力的快速恢复二极管。电容C 的主要作用是减小输出纹波电压和存储一定的能量，经常使用附加LC 滤波器以减小噪音。 2.2电路的参数设计