第1章半导体二极管和三极管.pptVIP

1.4 PN结的形成及其单向导电性 PN结的单向导电性 （2）PN 结加反向电压（反向偏置） （2） PN 结加反向电压（反向偏置） 作业 P18： 1-3， 1-5 电工技术试验安排 时间：第七周周三第二大节（采矿09-1班 ） 第七周周三第三大节（采矿09-2班 ） 第七周周三第四大节（采矿09-3班 ） 第七周周五第二大节（采矿09-4班 ） 第八周周三第二大节（采矿09-5班 ） 第八周周三第四大节（采矿09-6班 ） 地点：一号实验楼421 4. 2 电流分配和放大原理 4.2.1. 三极管放大的外部条件 4.3 特性曲线 4.3.1输入特性 4.3.2 输出特性 4.4 主要参数（6个） ①电流放大系数，? 本章作业 P18： 1-3，1-5，1-8 3.稳压二极管 符号 _ + 3.1 伏安特性 UZ IZ IZM ? UZ ? IZ U I O 稳压管正常工作时加反向电压 稳压管反向击穿后，电流变化很大，但其两端电压变化很小，利用此特性，稳压管在电路中可起稳压作用。 使用时要加限流电阻 3.2 主要参数 （1）稳定电压UZ 稳压管正常工作(反向击穿)时管子两端的电压。 （2）动态电阻 rZ愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。 （3）稳定电流IZ 是指某种稳压管进入反向击穿工作区所必需的参 考电流，通常该电流为5mA,稳压管的实际电流大于稳定 电流时，稳压性能较好。 3.3 稳压管稳压电路 （1） 稳电管正向偏置时，相当于一个普通二极管正向偏置的情况。 （2） 稳压管反向偏置时 ①当外加反向电压小于稳压管的稳定电压时，稳压管截止，可视为开路。 ②当外加反向电压大于或等于稳压管的稳定电压，并且流过稳压管的电流满足一定要求时，稳压管稳压。 例：稳压二极管的稳定电压UZ = 5V，正向压降忽略不计。当输入电压Ui 分别为 直流10 V、3 V、-5V时，求（1）输出电压UO；（2）若 ui = 10sin ωtV，试画出 uo 的波形。 DZ R uo ui + + – – Ui = 10V： DZ 工作在反向击穿区，稳压，UO = UZ = 5V Ui = 3V： DZ 反向截止，UO = Ui = 3V Ui = -5V： DZ 工作在正向导通状态，UO = 0V ui = 10sinωtV： ui正半周，当ui UZ，DZ 反向击穿，uO = 5V 当ui UZ，DZ 反向截止，uO = ui ui负半周，DZ 正向导通，uO = 0V ui 10V 5V （2）若 ui = 10sin ωtV， uo 的波形如下： DZ R uo ui + + – – 4.半导体三极管 4.1 基本结构 基极 发射极 集电极 NPN型 B E C PNP型 P P N 基极 发射极 集电极 N N P 符号： B E C IB IE IC B E C IB IE IC NPN型三极管 PNP型三极管 4.半导体三极管 结构特点： 基区：最薄， 掺杂浓度最低 发射区：掺 杂浓度最高 发射结 集电结：面积大 B E C N N P 基极 发射极 集电极 集电区： 尺寸最大 B E C N N P EB RB EC RC 发射结正偏、集电结反偏 PNP 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 从电位的角度看： NPN 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 　发射极是输入回路、输出回路的公共端 共发射极电路 IC EB mA ?A V UCE UBE RB IB EC V + + – – – – + + IE 4.2.2各电极电流关系及电流放大作用 IB(mA) IC(mA) IE(mA) 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 结论: 1）三电极电流关系 IE = IB + IC 2） IC ?? IB ， IC ? IE 3） ? IC ?? ? IB 把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化，是C