第2章半导体器件基础20117989174220110905153843.pptVIP

定义：UGS一定时， ID与UDS的变化曲线。若干不同UGS对应一族曲线 ID=f(UDS)?UGS=C 输出特性曲线 输出特性曲线有三个区： （1）可变电阻区（ 或 恒阻区） （2）恒流区（或放大区） （3）击穿区 UGS=6V UGS=4V UGS=5V UGS=4V UGS=UGS, th UDS(V) ID(mA) 可变 电阻 区 输出特性曲线 1.可变电阻区 条件：UDSUGS-UGS, th 特点： ID与UDS的关系近似为线性： ID≈ 2K(UGS-UGS，th)UDS 当UGS变化时，RON将随之变化因此称之为可变电阻区； 当UGS一定时，RON近似为一常数因此又称之为恒阻区。 UGS=6V UGS=4V UGS=5V UGS=4V UGS=UGS, th UDS(V) ID(mA) 可变 电阻 区 输出电阻（DS间的电阻）为 2. 恒流区 UGS一定，ID基本不随UDS变化而变， 3.击穿区 UDS 增加到某一值时，ID开始剧增而出现击穿。 该临界UDS称为漏源击穿电压。 UGS=6V UGS=4V UGS=5V UGS=4V UGS=UGS,th UDS(V) ID(mA) ID≈K(UGS-UGS,th)2 可变 电阻 区 增强型MOS管 ? MOS管衬底的处理 保证两个PN结反偏。 NMOS管—UBS加一负压 PMOS管—UBS加一正压 处理原则： 处理方法： ? N沟道耗尽型MOS场效应管结构 2.耗尽型MOS场效应管 + + + + + + + ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 耗尽型MOS管存在 原始导电沟道 耗尽型MOS管 当UGS=0时，UDS加正向电压，产生漏极电流ID,此时的漏极电流称为漏极饱和电流，用IDSS表示。 当UGS＞0时，将使ID进一步增加。 当UGS＜0时，随着UGS的减小漏极电流逐渐减小直至ID=0。对应ID=0的UGS称为夹断电压,用Uth,off表示。 UGS(V) ID(mA) UGS,off ? N沟道耗尽型MOS场效应管工作原理 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 转移特性曲线 耗尽型MOS管 UGS(V) ID(mA) ? N沟道耗尽型MOS场效应管特性曲线 沟道较短时，或考虑漏源之间的电压时，有 ID≈K(UGS-UGS,off)2（1+?UDS) UGS,off 转移特性曲线 当UGSUGS,off，且未击穿时， 输出特性曲线 比较：N沟道耗尽型MOS管可工作在UGS?0或UGS0。 N沟道增强型MOS管只能工作在UGS0。 UGS=6V UGS=4V UGS=1V UGS=0V UGS=--1V UGS(V) ID(mA) 可变 电阻 区 耗尽型MOS管 各类绝缘栅场效应三极管的特性曲线小结 绝缘栅场效应管 N 沟 道 增 强 型 P 沟 道 增 强 型 绝缘栅场效应管 N 沟 道 耗 尽 型 P 沟 道 耗 尽 型 各类绝缘栅场效应三极管的特性曲线小结（续） ? 结型场效应管（JFET)结构 ? 结型场效应管（JFET)分类 可分为N沟道和P沟道两种，输入电阻约为107?。 P+ P+ N G S D N沟道结型场效应管 导电沟道 三、结型场效应管(略） 结型场效应管 ? 结型场效应管（JFET)的工作原理 根据结型场效应三极管的结构，因它没有绝缘层，只能工作在反偏的条件下，对于N沟道结型场效应三极管只能工作在负栅压区，P沟道的只能工作在正栅压区，否则将会出现栅流。现以N沟道为例说明其工作原理。 P+ P+ N G S D UDS ID S N沟道结型场效应管 (1) 当UGS=0时，沟道较宽，在UDS的作用下N沟道内的电子定向运动形成漏极电流ID。 (2)当UGS＜0时，PN结反偏，PN结加宽，漏源间的沟道将变窄，ID将减小。 当UGS继续向负方向增加，沟道继续变窄，耗尽层在漏极附近相遇，称为预夹断。 D P+ P+ N G S UDS ID UGS 预夹断 UGS=UGS,off 夹断状态 ID=0 栅源电压对沟道的控制作用: （3）当UGS继续向负方向增加，耗尽层在源极附近相遇称为全夹断，此时ID为0。当漏极电流为零时所对应的栅源电压UGS称为夹断电压UGS,off。 UGS 结型场效应管 ? 结型场效应管（JFET)的特性曲线 与MOS管的特性曲线基本相同，只不过MOS的栅源电压可正可负，而结型场效应三极管的栅源电压只能是为负。 UG