第七章-金属和半导体的接触.pptVIP

扩散方向与漂移方向相反 无外加电压： 扩散与漂移相互抵消—平衡； 反向电压： 漂移增强——反偏； 正向电压： 扩散增强——正偏 3、势垒宽度与外加电压的关系 势垒区的宽度： 1、无外加电压，即 2、有外加电压，即 V 0， d 正↓正向电压使势垒区变窄 V0， d 负↑反向电压使势垒区变宽 势垒的高度和宽度都随外加电压变化： 求通过势垒的电流密度为漂移电流和 扩散电流之和： 漂移电流 扩散电流 J 将 带入上式得 J 解上方程并代入边界条件： 其中， 电流密度变化的讨论： 其大小主要决定于指数因子， J随外加电压V成指数变化 该理论是用于迁移率较小，平均自由程较短的半导体，如氧化亚铜。 7.2.2 热电子发射理论 起决定作用的是势垒的高度，而不是形状。当电子动能势垒顶部时，电子可以自由越过势垒进入另一边 。电流的计算即求越过势垒的载流子数目。 热电子发射理论 当n型阻挡层很薄时，即电子的平均自由程大于 势垒宽度。扩散理论不再适合了。电子通过势 垒区的碰撞可以忽略。 1、热电子发射理论的适用范围 ln d —适用于薄阻挡层 —势垒高度 k0 T 非简并半导体 2、热电子发射理论的基本思想 薄阻挡层，势垒高度起主要作用。 能够越过势垒的电子才对电流有贡献 ——计算超越势垒的载流子数目，从而求出电流密度 3、势垒区的伏安特性 半导体一侧，只有能量大于势垒的电子才能越过势垒： 根据麦克斯韦分布可求得 中的电子数： 规定电流的正方向是从金属到半导体 电子流密度方向和电流方向相反 ① Js→m时（正向电流） EF Vx 电子的状态密度和分布函数 能够运动到Ｍ-Ｓ界面的电子数为： ② Jm→s时（反向电流） Φns是金属一边的电子势垒 ③ 总的电流密度J ④ 讨论： 扩散理论： 两种理论都得出电流和外加电压近似成指数关系 热电子发射理论： Ge、Si、GaAs都有较高的载流子迁移率，即较 大的平均自由程，在室温时，其肖特基势垒中的 电流输运机构，主要是多数载流子的热电子发射 扩散理论热 热电子发射理论 ●厚阻挡层 ●电流源于半导体一侧电子的漂移或扩散 ●薄阻挡层 ●电流源于越过势垒的电子 §7.3 少数载流子的注入和欧姆接触 1、少数载流子的注入 对n型阻挡层，对少子空穴 就是积累层，在势垒区表面空穴浓度最大， 由表面向内部扩散，平衡时 被电场抵消。在正向电压时，产生和电子电流方向一致的。故部分正向电流由少子贡献。 E V 第 七 章 金 属 和 半 导 体 的 接 触 Metal-Semiconductor Contact §7.1 金属-半导体接触及其能带图 一、概述： 1、在微电子和光电子器件中，半导体材料和金属、半导体以及绝缘体的各种接触是普遍存在的，如MOS器件、肖特基二极管、气体传感器等。薄膜技术及纳米技术的发展，使得界面接触显得更加重要。 二、金属和半导体的功函数Wm 、Ws 1、金属的功函数Wm 表示一个起始能量等于费米能级的电子，由金属内部逸出到表面外的真空中所需要的最小能量。 E0 (EF)m Wm 功函数大小标致电子在金属中被束缚的强弱 2、半导体的功函数Ws E0与费米能级之差称为半导体 的功函数。 用Χ表示从Ec到E0的能量间隔： 称χ为电子的亲和能，它表示要使半导体导带 底的电子逸出体外所需要的最小能量。 Ec (EF)s Ev E0 χ Ws En ① N型半导体： 式中： ② P型半导体： 式中： Note: 和金属不同的是，半导体的费米能级随杂质浓度变化，所以，Ws也和杂质浓度有关。 故常用亲和能表征半导体 半导体 金属 半导体 金属 能带结构发生变化 新的物理效应 和应用 3、金属/半导体接触(理想接触） 三、金属与半导体的接触及接触电势差 1. 阻挡层接触 金属 n半导体 设想有一块金属和一块n型半导体，并假定 金属的功函数大于半导体的功函数，即： 即半导体的费米能EFs 高于金属的费米能EFm 金属的传导电子的浓度 很高，1022～1023cm-3 半导体载流子的浓度比 较低，1010～1019cm-3 金属半导体接触前后能带图的变化： 接触后，金属和半导体的费 米能级应该在同一水平，半导体的导带电子必然要流向金属，而达到统一的费米能 接触前，半导体的费米能 级高于金属（相对于真空 能级），所以半导体导带 的电子有向金属流动的可 能 Wm EFm Ws E0 Ec EFs Ev 接触前 接触后 qVD EF EF Ev Ec xd E0 在接触开始时，金属和半导体的间距大于原子的 间距，在两类材料的表面形成电势差Vms。 接触电势差： 紧密接触后，电荷的流动使得在半导体表面相当 厚的一层形成正的空间电荷区。空间电荷区形成 电场，其电场在界面处造成能带弯曲，使得半导 体表面和内部存