电子能谱，第十二，电子能量损失光谱(EELS).pptVIP

电子能谱学第12讲电子能量损失谱（EELS）;EELS历史;电子能量损失谱现象;入射电子与试样相互作用的示意图 ;电子能量损失过程;等离子体;电子能量损失谱现象;EELS 的信息;芯能级激发EELS 的信息;芯能级产生的能量损失谱;激发等离子元EELS信息;激发声子EELS信息;HREELS;EELS的特点;EELS原理;EELS理论;EELS理论;机理;经典的介电理论 ;经典的介电理论;电子能量损失为：;体等离子体能量损失计算公式为： 表面体等离子体能量损失计算公式为： 中，n为单位体积中价电子数： 式中：m,n和分别是电子质量和电荷，是指真空介点常数，是普朗克常数，为金属的价电子数，为阿伏伽德罗常数，为金属密度，为金属的原子质量。 体等离子体振荡具有特征频率，正比于电子密度n的平方根。因此合金化引起的电子密度n变化，将导致体等离子体峰发生位移（即等离子体能量的变化），可利用这一特点来测定合金的成分； 随着氧化过程，材料表面的介电常数将改变，也将改变，表面等离子体能量损失峰发生位移，由此可以判定表面上的氧化组分变化情况 ;Nb、U、U2.3Nb和U6Nb合金的等离子体能量损失 ;低能电子能量损失谱 ;Si(111)解理理面的低能电子损失谱。实验数据和理论计算结果也非常一致。 激发声子和吸收声子的谱峰位置都在56毫电子伏处，见图7—3。;低能电子能量损失谱可对清洁晶面的吸附气体的研究。 与红外光谱相比，低能电子能量损失谱比红外吸收光谱能给出更多更直接的信息，能观察到更低的振动频率，有更宽的谱线范围(小于100毫电子伏或1000cm－1波数)； 低能电子能量损失谱、红外吸收光谱、拉曼光谱、隧道谱和非弹性散射低能原子束技术构成了研究表面振动谱的一整套方法，在实验工作者面前出现了广阔的前景。; 为了定性地说明入射电子同在固体表面上作振动的原子或分子的相互作用，可以设想在一个平滑而清洁的晶体表面上，由于表面处的对称性被破坏，元胞内的电荷分布出现了一个静电偶极子p0。 假如有一个分子吸附在这个元胞内，静电偶极子变为p。如果吸附分子的垂直方向有一个振动ω0，偶极子就会受到调制，成为p＋pexp(－iω0t)，这时电偶极子的振荡分量就???晶体上方的真空里建立起电场。 这些振荡电场就会使入射电子产生非弹性散射，结果在电子的反射方向上出现了一个非弹性散射蜂。;凳田纶宽赤坤海荔撇琶沥跳虾酬嗡敬彬懈厦趟虹业茅光杆曙熊华完渤内陛电子能谱，第十二，电子能量损失光谱(EELS)电子能谱，第十二，电子能量损失光谱(EELS);一个简单的双原子分子直立地吸附在表面上，如CO在过渡金属表面的吸附就属于这种情况。 CO分子的拉伸振动产生的振荡偶极子垂直于表面，这个偶极子在晶体表面产生了一个镜像偶极子，当入射电子接近表面时所看到的是振荡偶极子的总强度2p如图7—4(a)所示。 如激发CO的平行于表面的振动，那振荡偶极矩也是平行于表面，不过由它产生的镜像阴极矩与它的方向相反，如图7—4(b)所示，因此表面偶极矩的总和为零。 所以在这种情况下入射电子只与吸附分子的振荡偶极矩的垂直分量起作用而产生散射。 ;图7—5画出五种吸附实体的几何结构。 如果假定是一种轻的原于吸附在重的原子上，知道了原子量、结合键的强度、长度以及角度，就可以通过入射电子和吸附原子偶极矩中垂直于表面的振荡的相互作用进行计算，并由选择定则得到图7-5右所示的电子能量损失谱。 ;(a）表示在桥式分子吸附情况下，有两种振动模式：由单个原子作垂直于表面振动的低频峰，及由两个原于间的拉伸振动所产生的高频峰。这是因为它们和表面的结合键的倾斜，使这个振动也有垂直于表面的振动分量。 (b)表承立式分子吸附的情况，这时也出现两个损失峰。低频峰是由整个分子对衬底作振动所产生，由于整个分子的总质量较大以及它跟衬底表面偶合比较弱使频率较低；高频损失峰是同分子的拉伸振动相对应的。 (c)表示双键结合的对称桥式原子吸附，在这里只有从一种频动中得到的一个垂直振动分量。 (d)表示非对称桥式原子吸附，出现了第二个垂直振动分量。 (e)表示顶式原子吸附，在这种情况下，人们只能得到一个损失峰。 图7—5中的五条虚线表示目前红外光所能达到的低频极限． ;层午达筐葡堵去佛坡铣龚衍汛吩浇冕曳莽勿膀卖嚣戏皖验欣践厅蝇怎曙暮电子能谱，第十二，电子能量损失光谱(EELS)电子能谱，第十二，电子能量损失光谱(EELS);图7—6是解理面Si(111)2×1吸附氧时的低能电子损失谱。 当氧的覆盖度θ＜0.2时，在离弹性峰56毫电子伏的地方由于激发声子而出现损失峰，这和图7—3的结果是一致的。但在90毫电子伏和125毫电子伏的地方出现另外两个损失峰，这两个损失峰属于氧的振动模。 当θ＝0.6时，表面声子激发几乎消失，