《模拟电子技术基础》(第四版)第1章.pptVIP

教材: 《模拟电子技术基础》 主讲: 柯能伟 四、模电成绩如何算 作业：１０％ 期末考试：９０％ 参考课堂和答疑表现 作业：每周交 1 次，全交，有参考解答 对于杂质半导体，多子浓度约等于所掺杂质浓度，多子浓度受温度影响小； 少子（本征激发）浓度受温度影响大； 　载流子的两种运动： 扩散——载流子在浓度差作用下的运动 　载流子总是从高浓度向低浓度扩散 飘移——载流子在电场作用下的运动 　电子逆电场方向运动 　空穴顺电场方向运动 　多子扩散－＞形成空间电荷区－＞有利少子向对方漂移、阻挡多子向对方扩散， 　少子向对方的漂移－＞空间电荷区变窄－＞有利于多子向对方扩散； 　当多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡时，空间电荷区的宽度一定，形成PN结。 600 400 200 – 0.1 – 0.2 0 0.4 0.8 –50 –100 iD / mA uD / V 硅管的伏安特性 1.3.2 二极管的伏安特性 反向特性 死区 －IS 正向特性 －UBR Uon iD=f（uD） iD + uD – D UＤ 非线性特性 iD=Is(e / –1 ) uD UT ＵＢＲ反向击穿电压ＵＺ（稳压管） i-u?, q-u?, L? 反向击穿 正向和反向 开启电压： Uon Si 管：0.5V左右 Ge管：0.1V左右 正向导通电压UＤ