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硅片定位槽和激光刻印 1234567890 定位槽 标识数字 内刃 内圆切割机 抛光的硅片边缘 用于去除硅片表面损伤的化学刻蚀 用于去除硅片表面损伤的化学刻蚀 双面硅片抛光 上抛光垫 下抛光垫 硅片 磨料 切片、磨片、抛光 1．切片 将已整形、定向的单晶用切割的方法加工成符合一定要求 的单晶薄片。 切片基本决定了晶片的晶向、厚度、平行度、翘度，切片 损耗占1/3。 2. 磨片 目的：去除刀痕与凹凸不平； ??? 改善平整度； 使硅片厚度一致； 磨料： ??? 要求—其硬度大于硅片硬度。 种类—Al2O3、SiC、SiO2、MgO等 3. 抛光 目的：进一步消除表面缺陷，获得高度平整、光洁及无 损层的“理想”表面。 方法：机械抛光、化学抛光、化学机械抛光 晶体缺陷 缺陷的含义：晶体缺陷就是指实际晶体中与理想的点阵结构发 生偏差的区域。 理想晶体：格点严格按照空间点阵排列。 实际晶体：存在着各种各样的结构的不完整性。 几何形态：点缺陷、线缺陷、面缺陷、体缺陷 点缺陷 缺陷尺寸处于原子大小的数量级上，即三维方向上缺陷的尺寸都很小。 线缺陷 在一维方向上偏离理想晶体中的周期性、规则性排列所产生的缺陷，即缺陷尺寸在一维方向较长，另外二维方向上很短，分为刃型位错和螺位错。 刃型位错:在某一水平面以上多出了垂直方向的原子面，犹如插 入的刀刃一样，沿刀刃方向的位错为刃型位错。 螺位错:将规则排列的晶面剪开（但不完全剪断），然后将剪开的部分其中一侧上移半层，另一侧下移半层，然后黏合起来，形成一个类似于楼梯 拐角处的排列结构，则此时在“剪开线”终结处（这里已形成一条垂直纸面的位错线）附近的原子面将发生畸变，这种原子不规则排列结构称为一个螺位错 面缺陷 二维方向上偏离理想晶体中的周期性、规则性排列而产生的缺陷，即缺陷尺寸在二维方向上延伸，在第三维方向上很小。如孪晶、晶粒间界以及堆垛层错。 孪晶：是指两个晶体（或一个晶体的两部分）沿一个公共晶面（即特定取向关系）构成镜面对称的位向关系，这两个晶体就称为“孪晶”，此公共晶面就称孪晶面。 晶粒间界：彼此没有固定晶向关系的晶体之间的过渡区。 孪晶界 晶粒间界 堆垛层错：是晶体结构层正常的周期性重复堆垛顺序在某一层间出现了错误，从而导致的沿该层间平面（称为层错面）两侧附近原子的错误排布 。 体缺陷 由于杂质在硅晶体中存在有限的固浓度， 当掺入的数量超过晶体可接受的浓度时， 杂质在晶体中就会沉积，形成体缺陷。 成品率 = 66 合格芯片 88 总芯片 = 75% 硅片上的成品率 减小硅片上的缺陷密度是提高成品率关键的关键因素 本节课主要内容 硅单晶的制备：CZ 直拉法、 悬浮区熔法 掺杂分布： 有效分凝系数 衬底制备： 整形、晶体定向、晶面标识、晶面加工 晶体缺陷：点缺陷、线缺陷、面缺陷、体缺陷 思考题 半导体生产要求一个非常洁净的环境，特别是工艺越先进，集成度越高，环境的洁净度也越高，那么这样的环境我们需要考虑哪几大方面呢？净化级别又如何定义呢？ 课后习题 课后1.3.7.8题 白色发光二极管用GaN，GaN发蓝光，上面涂上黄色荧光粉，显现白光 GaAs做发光管，激光器 * * 纯度高：电子级硅（EGS） --1/109杂质； * 微电子工艺第二章 晶体生长 第一章 引言 第二章 晶体生长 第三章 工艺中的气体、化试、水、环境和硅片的清洗 第四章 硅的氧化 第五章 光刻 第六章 刻蚀 第七章 扩散 第八章 离子注入 第九章 薄膜淀积 第十章 工艺集成 第十一章 集成电路制造 目标 通过本章的学习，你将能够： 1. 掌握用直拉单晶法制备硅片所用的原料，以及提纯的过程 和制造单晶硅锭的步骤。 2. 了解区熔单晶法制备单晶硅锭的过程。 3. 了解两种制备方法各自的特点。 5. 从单晶锭到单晶硅片的步骤。 6. 硅片质量检测的指标。 一、衬底材料的类型 元素半导体 Si、Ge…. 2. 化合物半导体 GaAs、SiC 、GaN… Ge： 漏电流大，禁带宽度窄，仅0.66eV(Si:1.1eV)； 工作温度低，75℃（Si:150℃）； GeO2易水解（SiO2稳定）