zno 热阻体: ntcr ptcr 半导体与半导性陶瓷的比较.ppt

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zno 热阻体: ntcr ptcr 半导体与半导性陶瓷的比较

* 半導性陶瓷 半導體與半導性陶瓷的比較 半導性陶瓷材料應用 變阻體: ZnO 熱阻體: NTCR PTCR 半導體與半導性陶瓷的比較: 一般的半導體其導電載子為電子或是電洞,而半導性陶瓷 的導電載子除了電子和電洞以外,還可以為離子。 一般的半導體可製成 PN 接面,而半導性陶瓷雖然可分別製成 P 型或 N 型材料,但目前為止無法製成 PN 接面。 一般的半導體為單晶(single crystal)材料,需特別的的晶體成長技術。而半導性陶瓷為多晶材料,雖然需特別的處理方式,但一般陶瓷可經由高溫燒結來成型。因沒有 PN 接面所以半導性陶瓷主要是用來做各種感測器。 雖然一般的陶瓷是絕緣體,但是經過適當的處理,也可以具有半 導的性質,具有半導性的陶瓷可以有許多的用途,例如氧化鋅與 數種適當的添加物可以製成變阻器,由於它具有吸收突波的特性, 可以用來保護電子元件,防止突波的破壞。有些半導性陶瓷的導 電性因溫度的不同變化很大,可以用來量測溫度,以PTC(正溫度 係數)陶瓷做加熱器具有自動控溫的特性,如近來常見的陶瓷暖 爐,就是一例。此外半導性陶瓷還可以做濕度或氣體感測器,具 有元件簡單,但靈敏度高的特性。 變阻器 變阻器(Varistor)是一種對電壓會改變其阻抗值 的非線性阻抗體。 電流 I 與電壓 V 的關係並不遵行歐姆定律,而依 其中 表示與阻抗值相當的常數 ; 表示非線性常數 ; 在 ZnO 上添加 等燒結而成的陶瓷是由 ZnO 的結晶粒以 為主成分的粒界相所構成。具有 良好的變阻器特性,是1967年松下電器的增山….等 人所發現的。 ZnO 變阻器 ZnO變阻器 氧化鋅變阻器是由ZnO與數種添加物經反應而成。 ZnO變阻器之I-V特性如圖 上頁這種直立向上的電壓(變阻體電壓) 可隨 ZnO 陶瓷粒徑的控制而有大幅度變化, 適合於電壓安定化、脈衝電壓的控制、雜音 防止等各種用途。 氧化鋅壓敏電阻器(ZnO Varistor;又稱為“突波吸收器”): 利用其非歐姆法則之電壓-電流特性對於突波誘導電及開 關操作時所產生之高電壓有很大吸收能力。因此廣被利 用在各種電子機器及電力設施上,以作為電壓安定與突 波吸收用。例如:開關電源(SMPS)、不間斷電源(UPS)、 漏電開關(POWER SW)、電源電腦插座(AC SOCKET)、 彩色電視(CTV)、洗衣機(Washing Machine)……。 實際應用 熱阻體(thermistor) 熱阻體是指溫度敏感電阻體,其電阻值因溫度改變而改變。 以陶瓷體所構成的熱阻體可分為: 負溫度係數(NTC):具有負溫度特性的熱阻體。 正溫度係數(PTC):具有正溫度特性的熱阻體。 極限溫度電阻體(CTR):具有負溫度特性,但其電阻體 在特定溫度範圍裡突變。 以 為本體的燒結體。 -50~350度C PTC 常溫用的組成加入Cu以降低其本體電阻。 Mn , Ni , Co , Fe等過渡元素氧化物燒結體。 與 組合的燒結體。 低溫 -130~0 度 C 常溫 -50~350 度 C 高溫 500~1300 度 C NTC 基本材料 使用溫度範圍 種類 各種熱阻體的使用溫度範圍及基本材料 一般的電器元件大多為正溫度係數,如銅、碳膜…..等 元件,這些元件在承載電流時會因本身電阻作用而產生 熱,造成本身的阻抗上升,而偏離了原設計值,造成電 子產品的壽命減短,而負溫度係數熱敏電阻因具有溫度 補償作用,可解決上述之缺點。 NTCR的用途 *

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