ZnO和Al2O3缓冲层对AZO透明导电膜薄膜性能的影响.pdfVIP

第34卷第4期 压 电 与 声 光 Vot．34NO．4 2012年O8月 PIEZOELECTRICS AC0UST()0PTICS Aug．2012 文章编号 ：1004—2474(2012)04—0605—04 ZnO和Al2o3缓冲层对 AZO透明导电膜薄膜 性能的影响 田 力，陈 姗，蒋马蹄，廉淑华，杨世江，唐世洪 (吉首大学 物理科学与信息工程学院，湖南 吉首 416000) 摘 要 ：采用射频磁控溅射法 ，以纯度为 99．9 ，质量分数 98 ZnO、2 A1zOs陶瓷靶为溅射靶材 ，在预先沉 积 了ZnO和 Al0 的玻璃衬底上制备 了Al0。掺杂的 ZnO薄膜。研究并对 比了两种不 同的缓冲层对 ZnO：A1 (AZO)薄膜的微观结构和光电性能的影响。并借助 X线衍射 (XRD)仪、扫描 电子显微镜 (SEM)、紫外可见光谱仪