大功率半导体激光器脉冲驱动电源研制 - 太赫兹科学与电子信息学报.pdfVIP

第 11 卷 第 1 期 太赫兹科学与电子信息学报 Vo1．11，No．1 2013 年 2 月 Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology Feb．，2013 文章编号：2095-4980(2013)01-0152-05 大功率半导体激光器脉冲驱动电源研制 王 卫，夏连胜，谌 怡，刘 毅，石金水，邓建军 ( 中国工程物理研究院 流体物理研究所，四川 绵阳 621999) 摘 要 ：研制了一种大电流、窄脉宽的半导体激光器驱动电源，该驱动电源激励半导体激光 器用于驱动砷化镓光导开关。驱动电路采用高速金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)作为开 关，为半导体激光器提供一个前沿快(1.2 ns) 、脉宽窄(15 ns) 、峰值电流大(72 A