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第三章 组合逻辑电路 3.6 只读存储器（ROM） 分类 掩模 ROM 可编程 ROM（PROM — Programmable ROM） 可擦除可编程 ROM（EPROM — Erasable PROM） 说明: 掩模 ROM PROM 生产过程中在掩模板控制下写入，内容固定， 不能更改 内容可由用户编好后写入，一经写入不能更改 紫外光擦除（约二十分钟） EPROM 存储数据可以更改，但改写麻烦，工作时只读 EEPROM 或 E2PROM 电擦除（几十毫秒） 3.6.1 ROM 的结构和工作原理 1. 基本结构 一、ROM 的结构示意图 地址输入 数据输出 — n 位地址 — b 位数据 A0 A1 An-1 D0 D1 Db-1 D0 D1 Db-1 A0 A1 An-1 2n×b ROM …… …… …… …… 最高位 最低位 2. 内部结构示意图 存储单元 数据输出 字 线 位线 地址译码器 ROM 存储容量 = 字线数 ? 位线数 = 2n ? b（位） 地 址 输 入 0单元 1单元 i 单元 2n-1单元 D0 D1 Db-1 A0 A1 An-1 W0 W1 Wi W2n-1 3. 逻辑结构示意图 (1) 中大规模集成电路中门电路的简化画法 连上且为硬连接，不能通过编程改变 编程连接，可以通过编程将其断开 断开 A B D C A B D Y A B C