升温模式对热处理TiN薄膜结构及性能的影响.pdfVIP

第 31卷第5期 西 安 工 业 大 学 学 报 VoL31No．5 2011年 1O月 JournalofXi’anTechnologicalUniversity Oct．2011 文章编号： 1673—9965(2011)05—418—06 升温模式对热处理TiN薄膜 结构及性能的影响 李建超 ，惠迎雪 ，刘 政 ，王 超 (1．西安工业大学 光电工程学院，西安 710032；2．中科院西安光学精密机械研究所，西安 710072) 摘 要： 为了比较不同热处理方式及工艺对TiN薄膜结构和性能的影响，在真空条件下、 300~900℃范围内，对采用非平衡磁控溅射方法在单晶硅基底上沉积TiN薄膜后进行了热处 理实验，考查了热处理模式(不同升温速率)和温度对薄膜结构和性能的影响．利用x射线衍 射仪 (XRD)对薄膜微结构进行表征，并利用扫描电镜观察了不同热处理模式下薄膜的表面 形貌．同时，对不同工艺下薄膜的硬度、表面粗糙度和电阻率进行了表征．结果表