大规模集成电路试卷.pptx

大规模集成电路的 发展趋势和面临的挑战 本文主要从三个方面讲述大规模集成电路的发展趋势和面临的挑战 目前发展方向 发展中面临的挑战 1、大规模集成电路的发展历程（简述） 一是不断开发新的技术与材料，使电路的集成度不断提高。 二是利用现有的技术开发出适应不同行业的专用集成电路。 从第一块集成电路板，到现代大规模集成电路的历程 1、设计复杂，投入巨大IC产业是科技含量非常高的产业。 2、IC芯片生产面临诸多的极限 3、光刻技术的极限 ……… 1958年，美国德州仪器公司展示了全球第一块集成电路板，这标志着世界从此进入到了集成电路的时代。集成电路具有体积小、重量轻、寿命长和可靠性高等优点，同时成本也相对低廉，便于进行大规模生产。 在近50年的时间里，集成电路已经广泛应用于工业、军事、通讯和遥控等各个领域。用集成电路来装配电子设备，其装配密度相比晶体管可以提高几十倍至几千倍，设备的稳定工作时间也可以大大提高。 1、第一块集成电路板 几根零乱的电线将五个电子元件连接在一起，就形成了历史上第一个集成电路。虽然它看起来并不美观，但事实证明，其工作效能要比使用离散的部件要高得多。历史上第一个集成电路出自杰克-基尔比之手。当时，晶体管的发明弥补了电子管的不足，但工程师们很快又遇到了新的麻烦。为了制作和使用电子电路，工程师不得不亲自手工组装和连接各种分立元件，如晶体管、二极管、电容器等。很明显，这种做法是不切实际的。于是，基尔比提出了集成电路的设计方案。 2、半导体设备与铅结构模型 在20世纪50年代，许多工程师都想到了这种集成电路的概念。美国仙童公司联合创始人罗伯特-诺伊斯就是其中之一。在基尔比研制出第一块可使用的集成电路后，诺伊斯提出了一种“半导体设备与铅结构”模型。1960年，仙童公司制造出第一块可以实际使用的单片集成电路。诺伊斯的方案最终成为集成电路大规模生产中的实用技术。基尔比和诺伊斯都被授予“美国国家科学奖章”。他们被公认为集成电路共同发明者。 3、戈登-摩尔提出摩尔定律 英特尔公司的联合创始人之一戈登-摩尔也在集成电路的早期发展进程中扮演着重要的角色。早在1965年，摩尔就曾对集成电路的未来作出预测。他推算，到1975年每块芯片上集成的电子元件数量将达到65000个。而实际上，每过12个月芯片上集成的电子元件数量都会翻一番。这就是现在我们所了解的计算机“摩尔定律” 4、集成电路工艺突飞猛进 随着电子技术的继续发展，超大规模集成电路应运而生。1967年出现了大规模集成电路，集成度迅速提高；1977年超大规模集成电路面世，一个硅晶片中已经可以集成15万个以上的晶体管；1988年，16M DRAM问世，1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管，标志着进入超大规模集成电路（VLSI）阶段；1997年，300MHz奔腾Ⅱ问世,采用0.25μｍ工艺，奔腾系列芯片的推出让计算机的发展如虎添翼，发展速度让人惊叹，至此，超大规模集成电路的发展又到了一个新的高度。集成电路的集成度从小规模到大规模、再到超大规模的迅速发展，关键就在于集成电路的布图设计水平的迅速提高，集成电路的布图设计由此而日益复杂而精密。这些技术的发展，使得集成电路的发展进入了一个新的发展的里程碑。相信随着科技的发展，集成电路还会有更高的发展。 集成电路发展的过程中一直遵循美国INTEL公司的创始人之一戈登.摩尔在1965年发表的摩尔定律，即集成电路的集成度每三年翻两番。预计今后15年内集成电路的发展仍服从这一定律。 超大规模集成电路发展趋势 Hi 集成电路沿着按比例缩小原理 , 以摩尔定律所预测的时间表向前推进 。 目前 , 已进人 0.13um~0.18um，圆片直径 300mm生产阶段。集成度的不断提高离不开以下技术的发展： ①微细加工技术 ( 包括特征尺寸接近 100mm时所涉及的诸如栅和层间电介质新材料 、 高电导率互连新技以及掺杂 、光刻 、腐蚀 、热处理 等创新加工技术 ) 。 ②工艺集成和器件结构技术 ( 包括工艺流程方法学 、器件结构学 、不同工艺兼容 , 不同电路嵌人技术等 ) 。 ③设计与测试技术 ( 包括适宜片上系统集成的设计方法学、标准化、认证与分析技术等 ) 。 ④组装和封装技术 ( 包括适宜片上系统集成芯片封装的结构学 、热学 、力学等 ) 。 ⑤大生产相关技术 ( 包括缺陷 、沽污控制、工艺参数与微结构分析、建模和仿真、生产网络规划学等 ) 。 沿着上述持续缩小尺寸途径发展、随着集成方法学和微细加工技术的持续成熟, 应用领域 的不断扩大 , 因此 , 不同类型的集成电路相互镶嵌 , 形成了各种嵌人式系统和片上系统(即 S O C ) 。 世界集成电路生产目前已经进入纳米时代，全球多条90纳米/12英寸生产线用于规模化生产，基于70与