3-电位法教程.pptVIP

电池表达式 Ei＝k+Slgαi Ej＝k+SlgKi,jαj 因为，αi=αj 所以 固定干扰法 该法先配制一系列含固定活度的干扰离子j和不同活度的主响应离子i的标准混合溶液，再分别测定电位值，然后将电位值E对pαi作图．从图中求得 对于直线AB 对于直线DC 对于M点，具有共同的E值，则 膜电位的产生 由于溶液中的待测离子能扩散进入膜相的缺陷空穴，而膜相中的晶格缺陷上的离子也能进入溶液相，因而在两相界面上建立双电层结构所致。 选择性 以LaF3为例： LaF3 + 空穴 → LaF2＋＋ F－ 由于缺陷空穴的大小、形状、电荷分布，只能容纳特定的可移动的晶格离子，而其它离子不能进入空穴参与导电过程，从而使晶格敏感膜具有选择性。 使用方法 由于不存在离子交换作用，不需浸泡活化 干扰来自化学反应，即共存离子与晶格离子形成难溶盐或配合物，从而改变了膜表面的性质。 Ag-AgCl电极 内充液 (NaF+NaCl) LaF3晶体膜 3. 氟电极 0.001mol/LNaF 0.1mol/LNaCl Ag-AgCl电极 构造 敏感膜: LaF3单晶薄片 内导体系 原理 5×10-7～1×10-1 mol/L Ag︱AgCl︱0.1mol?L-1NaCl，0.001mol ?L-1NaF ︱ LaF3 ︱ F－试液‖KC