980nm半导体激光二极管的温度特性 - 激光与红外.pdfVIP

第 36卷 　第 7期 　 　　　　　　　　　　　　　　激 光 与 红 外 Vo l. 36,No. 7 　 2006年 7 月 　 　　　　　　　　　　　　　LA SER 　　IN FRARED Ju ly, 2006 　　文章编号 : 100 15078 (2006) 980nm 半导体激光二极管的温度特性 韦文生 (温州大学物理与电子信息学院 ,浙江 温州 325025) ( ) 摘 　要 :测试并分析了 980nm 半导体激光二极管 SLD 模块的输出光功率 、光谱和消光比与 注入电流及温度的变化关系 。结果反映 :在测试范围内,温度不变时该模块的输出光功率随注 入电流的增大而增加 ,经历了自发辐射和受激放大过程 ; 电流不变时该输出光功率随管芯温度 的变化基本保持稳定 。温度不变的情况下 , 当注入电流小于阈值电流时 ,峰值波长 、3dB 带宽 和消光比随注入电流的增大而较快增加 , 当注入电流大于阈值电流时 ,峰值波长 、3dB 带宽和 消光比随注入电流的增大而缓慢增加 ; 电流不变时峰值波长 、3dB 带宽和消光比随温度升高而 有所增大 。 关键词 :半导体激光二极管 ;光谱 ;输出功率 ;消光比 中图分类号 : TN 248. 4　　　文献标识码 : A Tempera ture Character istics of 980nm Sem iconductor La ser D iode W E IW ensheng ( Schoo l of Physics E lectron ic Inform ation, W enzhou U n iversity, W enzhou 325000 , Ch ina) A b stract: The ou tp ut op tical power, sp ectra and extinction ratio of a 980 nm sem iconductor laser diode ( SLD ) mod u le were m ea su red and analyzed when the SLD wa s op erated w ith different cu rren t at differen t temp erature. The re su lts show that the SLD is a thre shold device, its ou tp ut op tical power increa ses w ith the op eration curren t and doe s weak ly change w ith temp eratu re. The p eak wavelength, 3dB bandw idth and extinction ratio increa se sharp ly w ith the op eration curren t when it ’s lower than thresho ld curren t, wh ile they increase slow ly w ith the op eration curren t when it ’s h igher than thre shold cu rrent at sam e temp erature. The p eak wavelength, 3dB bandw