一种新型的MOS栅控晶体管――MOSGCT.pdfVIP

　第 20 卷第 12 期 半　导　体　学　报 . 20, . 12 V o l N o 　1999 年 12 月 . , 1999 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S D ec 一种新型的 栅控晶体管—— MO S MO SGCT 刘海涛　陈启秀　白玉明 (浙江大学功率器件研究所　杭州　310027) 摘要　提出了一种新型的M O S 栅控晶体管——M O SGCT 。该结构在DM O S 的一侧引入一个 N PN 晶体管, 使之在正向时具有DM O S 与N PN 双极晶体管的混合特性, 在关断时具有与 相似的快速关断性。对耐压 600 的 进行二维数值分析, 其结果表明 DM O S V M O SGCT M O S 的电流密度比 提高 45% , 且关断时间小于 100 . GCT DM O S ns : 2560 , 2560 EEACC R S 1　引言 开态电阻与开关速度之间的折衷关系一直是人们研究功率器件的重点. 功率M O SFET [ 1 ] 具有很快的开关速度 及极高的栅输入电阻, 使之广泛用于各种电力电子系统中, 但是由于 它的开态电阻与击穿电压成 2 5 次方关系, 即 ～ 2 5 , 因此高压M O SFET 的电流能力 R on BV 2 [ 2, 3 ] 通过将 结构与双极晶体管结合, 使它的电流 很小, 通常小于 30 . IGBT M O SFET A cm 能力大大提高, 约为M O SFET 的20 倍, 但是由于 IGBT 在导通过程中漂移区被注入了大量 的过剩载流子, 而且在关断时这些载流子又不能被立即抽走, 只能通过复合来消失, 故 IG BT 的关断时间较长, 约为 5～ 10s, 这严重限制了 IGBT 在某些领域的应用. 虽然通过少数 [ 1 ] 载流子寿命控制技术 可降低关断时间, 但是这样将严重影响器件的导通压降. 在本文中, 我们提出一种新型的 栅控双极晶管( ). 该结构在正向导通期 M O S M O SGCT 间工作于双极晶体管与DM O S 的混合模式, 因此其电流能力比DM O S 大; 且关断速度也非 常快, 与 相近. 当 G = 15 , D = 3. 5 时, 其电流密度比 提高了 45%. 虽然 DM O S V V V