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SI2302DS,215;中文规格书,Datasheet资料
SI2302DS
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Rev. 02 — 20 November 2001 Product data
M3D088
1. Description
N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using
1
TrenchMOS™ technology.
Product availability:
SI2302DS in SOT23.
2. Features
TrenchMOS™ technology
Very fast switching
Logic level compatible
Subminiature surface mount package.
3. Applications
Battery management
High speed switch
Low power DC to DC converter.
4. Pinning information
Table 1: Pinning - SOT23, simplified outline and symbol
Pin Description Simplified outline Symbol
1 gate (g)
3
2 source (s) d
3 drain (d)
g
1 2
MBB076 s
Top view MSB003
SOT23
1. TrenchMOS is a trademark
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