晶体缺陷简述剖析.ppt

晶体缺陷简述 概 要 引 言 晶体结构缺陷的类型 单晶硅中的缺陷 总 结 一、引言 固体在热力学上最稳定的状态是处于 0K 温度时的完整晶体状态，此时，其内部能量最低。晶体中的原子按理想的晶格点阵排列。实际的真实晶体中，在高于 0K 的任何温度下，都或多或少的存在着对理想晶体结构的偏离，即存在着结构缺陷。结构缺陷的存在及其运动规律，对固体的一系列性质和性能有着密切的关系，因此掌握晶体缺陷的知识是掌握材料科学的基础。 缺陷的含义：通常把晶体点阵结构中周期性势场的畸变称为晶体的结构缺陷。理想晶体：质点严格按照空间点阵排列。实际晶体：存在着各种各样的结构的不完整性。 明显的缺陷 添晶 解理开裂 无规则的开裂 晶体缺陷 二、晶体结构缺陷的类型 1、点缺陷（零维缺陷） 缺陷尺寸处于原子大小的数量级上，即三维方向上缺陷的尺寸都很小。 点缺陷具有如下几种情况： 填隙原子（或离子）：指原子（或离子）进入正常格点位置之间的间隙位置，成为填隙原子（离子）； 空位：正常结点位置出现的原子或离子空缺； 杂质原子（离子）：晶体组分以外的原子进入晶格中，即为杂质。杂质原子可以取代晶体中正常格点位置上的原子（离子），称为置换原子（离子）；也可进入正常格点位置之间的间隙位置，成为填隙的杂质原子（离子）。 a 空位 b 填隙基质原子 c 替位杂质 d 填隙杂质 按缺陷的几何形态分类 点缺陷与材料的电学性质、光学性质、材料的高温动力学过程等有关。 2、线缺陷（一维缺陷） 指在一维方向上偏离理想晶体中的周期性、 规则性排列所产生的缺陷，即缺陷尺寸在一维方向较长，另外二维方向上很短。如各种位错（ dislocation） 刃型位错（Edge dislocation） 晶体中某一列或若干列原子发 生有规律的错排的现象 螺型位错（Screw dislocation） 一个晶体的某一部分相对于其余部分发生滑移，原子平面沿着一根轴线盘旋上升，每绕轴线一周，原子面上升一个晶面间距 线缺陷的产生及运动与材料的韧性、脆性密切相关。 线缺陷有下面两种情况： 晶体中的线缺陷 KTA晶体的缺陷 3、面缺陷 面缺陷又称为二维缺陷，是指在二维方向上偏离理想晶体中的周期性、规则性排列而产生的缺陷， 即缺陷尺寸在二维方向上延伸，在第三维方向上很小。如晶界、表面、堆积层错、镶嵌结构等。面缺陷可分为以下几个类型： 面缺陷的取向及分布与材料的断裂韧性有关。 界面两侧晶体以一特征的非点阵平移相联系者称平移界面，包括堆垛层错、反相畴界和结晶切变面等面缺陷。 平移界面 第三类面缺陷为晶粒间界，它们是以任意取向关系相交接的两晶粒间的界面。 第二类面缺陷称为孪晶界面，它所分隔开的两部分晶体间以特定的取向关系相交接， 从而构成新的附加对称元素，如反映面、旋转轴或对称中心。 孪晶界面 晶粒间界 KTP晶体中的双晶界 Tb：YAB晶体的腐蚀 抗形态——孪晶 Yb：YAB晶体的孪晶 TYb：YAB晶体的孪晶 晶体的面缺陷 4、体缺陷 所谓体缺陷，是指在晶体中三维尺度上出现的周期性排列的紊乱，也就是在较大的尺寸范围内的晶格排列的不规则。这些缺陷的区域基本上可以和晶体或者晶粒的尺寸相比拟，属于宏观的缺陷，较大的体缺陷可以用肉眼就能够清晰观察。 体缺陷有很多种类，常见的有包裹体、气泡、空洞、微沉淀等。这些缺陷区域在宏观上与晶体其他位置的晶格结构、晶格常数、材料密度、化学成分以及物理 性质有所不同，好像是在整个晶体中的独立王国。比如， 空洞是在晶体中包含的较大的空隙区，微沉淀是指在晶体中出现的分离相，是由某些超浓度的杂质所形成的，包裹体则是在晶体中包裹了其他状态的成分，多为生长 时原来的液体。 晶体的体缺陷 KABO晶体中的缺陷 KBBF单晶中的包裹物 按缺陷产生的原因分类 1、热缺陷（本征缺陷） 指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点（原子或离子）。 热缺陷浓度与温度的关系: 温度升高时，热缺陷浓度增加。 肖特基缺陷 离开平衡位置的原子迁移至晶体表面的正常格点位置，而晶体内仅留有空位，晶体中形成了肖特基缺陷。肖特基缺陷的特点晶体体积膨胀，密度下降。 弗仑克尔缺陷 离开平衡位置的原子进入晶格的间隙位置，晶体中形成了弗伦克尔缺陷。弗伦克尔缺陷的特点是空位和间隙原子同时出现，晶体体积不发生变化，晶体不会因为出现空位而产生密度变化。 晶体中的热缺陷 弗伦克尔缺陷 肖特基缺陷 2、杂质缺陷（非本征缺陷） 外来原子进入主晶格（即原有晶体点阵）而产生的结构为杂质缺陷。 晶体的杂质缺陷浓度仅取决于加入到晶体中的杂质含量，而与温度无关，这是杂质缺陷形成（非本征缺陷）与热缺陷形成（本征缺陷）的重要区别。