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获得高、低电平的基本方法:利用半导体开关元件的导通、截止(即开、关)两种工作状态。
逻辑0、1: 电路中用高、低电平来表示。
2.1 半导体二极管和三极管的开关特性
1、二极管的开关特性
逻辑门电路:用以实现基本和常用逻辑运算的电子电路。简称门电路。
常用门电路有与门、或门、非门(反相器)、与非门、或非门、与或非门和异或门等。
二极管符号:
正极
负极
+ uD -
ui=0V时,二极管截止,如同开关断开,uo=0V。
ui=5V时,二极管导通,如同0.7V的电压源,uo=4.3V。
ui0.5V时,二极管截止,iD=0。
ui0.5V时,二极管导通。
2、三极管的开关特性
截止状态
饱和状态
iB≥IBS
ui=UIL0.5V
uo=+VCC
ui=UIH
uo=0.3V
饱和区
截止区
放
大
区
②ui=0.3V时,因为uBE0.5V,iB=0,三极管工作在截止状态,ic=0。因为ic=0,所以输出电压:
①ui=1V时,基极电流:
因为0iBIBS,三极管工作在放大状态。iC=βiB=50×0.03=1.5mA,输出电压:
三极管临界饱和时的基极电流:
uo=uCE=UCC-iCRc=5-1.5×1=3.5V
uo=VCC=5V
③ui=3V时,基极电流:
而
因为iBIBS,三极管工作在饱和状态。输出电压:
uo=uCES=0.3V
例:
转移特性曲线
输出特性曲线
截止状态
uiUT
uo=+VDD
导通状态
uiUT
uo≈0
3、场效应管的开关特性
2.2 分立元件门电路
Y=AB
1、二极管与门
2、二极管或门
Y=A+B
3、三极管非门
①uA=0V时,三极管截止,iB=0,iC=0,输出电压uY=VCC=5V
②uA=5V时,三极管导通。基极电流为:
iB>IBS,三极管工作在饱和状态。输出电压uY=UCES=0.3V。
三极管临界饱和时的基极电流为:
①当uA=0V时,由于uGS=uA=0V,小于开启电压UT,所以MOS管截止。输出电压为uY=VDD=10V。
②当uA=10V时,由于uGS=uA=10V,大于开启电压UT,所以MOS管导通,且工作在可变电阻区,导通电阻很小,只有几百欧姆。输出电压为uY≈0V。
2.3 TTL集成门电路
一、TTL与非门工作原理
倒置状态
0.3V
1.0V
3.6V
T2,T5截止
1. 有一个输入端输入低电平
T4 , D3导通
2.1V
T2饱和,
T5深度饱和
0.7V
1.0V
T3,T4截止
0.3V
2. 两个输入端都输入高电平
功能表
真值表
逻辑表达式
输入有低,输出为高;
输入全高,输出为低。
74LS00内含4个2输入与非门,74LS20内含2个4输入与非门。
TTL非门、或非门
①A=0时,T2、T5截止,T3、T4导通,Y=1。
②A=1时,T2、T5导通,T3、T4截止,Y=0。
TTL非门
只有一个输入端
TTL或非门
二、TTL电路的特性和参数
抗干扰能力
(1)输出高电平值VOH
典型值:3.6V
VOH(min) =2.4V
(2)输出低电平值VOL
典型值:0.3V
VOL(max) =0.4V
(3)输入高电平值VIH
VIH(min)=VON=2.0V
保证输出为低电平的最小输入高电平
(4)输入低电平值VIL
VIL(max)=VOFF =0.8V
保证输出为高电平的最大输入低电平
(5)噪声容限
VNH= VOH(min) – VON
VNL= VOFF– VOL(max)
2. 带负载能力
(1)输入低电平电流IIL
典型值1.6mA
(2)输入高电平电流IIH
典型值40uA
(3)输出低电平电流IOL
带灌电流负载能力: 典型值16mA
T4截止
T5饱和
IOL=IC5
(4)输出高电平电流IOH
带拉电流负载能力: 典型值0.4mA
IOH=IE4
(5)扇出系数NO
门电路能够驱动同类门电路的个数
3.平均传输延迟时间tPd
tPHL输出由高电平变为低电平的时间
tPLH输出由低电平变为高电平的时间
tPd=(tPHL+ tPLH)/2
TTL系列集成电路
①74:标准系列,前面介绍的TTL门电路都属于74系列,其典型电路与非门的平均传输时间tpd=10ns,平均功耗P=10mW。
②74H:高速系列,是在74系列基础上改进得到的,其典型电路与非门的平均传输时间tpd=6ns,平均功耗P=22mW。
③74S:肖特基系列,是在74H系列基础上改进得到的,其典型电路与非门的平均传输时间tpd=3ns,平均功耗P=19mW。
④74LS:低功耗肖特基系列,
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