半导体器件基本原理.ppt

讲 课 的 原 则 阐述科技发展的逻辑脉络 着重电力电子器件方面基本知识 着重培养分析电力电子器件性能的能力 着重电力电子器件应用中最复杂和关键的问题 二极管和IGBT 着重锻炼应用电力电子器件的基本技能 教 学 参 考 书 陈冶明，《电力电子器件基础》 USING IGBT MODULES Use Gate Charge to Design the Gate Drive Circuit for Power MOSFETs and IGBT 第2章 半导体器件基本原理 半导体的基本知识 PN结及半导体二极管 ×特殊二极管 本 章 的 学 习 要 求 半导体“神奇”的性能是如何形成的？ 半导体材料为什么要使用搀杂工艺？ P型和N型半导体内是否具有静电场？ 在PN结区域到底发生了什么，使得PN结具有单向导电性？ PN结特性会受到什么环境因素的影响？ 1、半导体的基本知识 物体导电性能取决于由自由电子浓度 导体原子核对电子的束缚较小，自由电子浓度高，导电性能好； 绝缘体中大多数电子都被原子核束缚，自由电子浓度很低，导电性能差； 半导体则介于两者之间，且易受外界因数的影响； 价 电 子 本 征 半 导 体 本征半导体的本征激发 掺杂半导体 N型半导体材料 在本征半导体中掺入五价的磷，由于每个磷原子有5个价电子，故在构成共价键结构时将产生一个自由电子。 2、PN结 PN结的形成 不同偏置条件下的PN结 正偏置：在PN结的P区加正、N区加负； 负偏置：在PN结的P区加负、N区加正； PN结正偏置 正向偏置电压的影响 PN结正向偏置与反向偏置的比较 PN结的结电容 PN结附近的耗尽区相当于一个电容器，因此就有电容量－PN结的结电容。 PN结的热效应 本征激发是PN结受温度影响重要起因。 预 习 问 题 当一个PN结由正向偏置突然变为反向偏置，会发生什么？从反向偏置突然变为正向偏置呢？ 少数载流子的浓度与什么因素有关？ 少数载流子什么时候才会消失？ PN结反偏置 内电场被被加强，耗尽区变宽，多子的扩散受抑制。在增强内部电场的作用下，少子漂移加强，但少子数量有限，只能形成较小的反向电流。 电流与偏置电压 的关系 导电载流子的类型 是否形成电流 外部电场与内部电场（耗尽区）的关系 反向偏置 正向偏置 偏置电压 消弱 增强 形成正向电流 形成反向电流 注入的少数载流子 抽取的少数载流子 受偏置电压影响大 受偏置电压影响小 PN结的伏安特性（单向导电性） U I 势垒电压 硅PN结约0.7V，锗PN结约0.2V。 正向导通压降 反向击穿电压 PN结的结电容与PN结的偏置电压有关，可以通过偏置电压来调节结电容。 结电容和什么因素有关？ 有什么实际应用的例子吗？ 在电力电子电路中，有什么影响？ 在不同的温度下，PN结会表现出不同的特性，因此温度特性是所有电力电子器件一个重要的方面。 特性变化（恶化） 散热设计 功率处理能力 PN结存在工作温度的上限。 tongyibin 容易导电的物质称为导体，金属是最常见的导体。 有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。 另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。 Ge Si ☆半导体材料原子最外层的电子由于受原子核的束缚较小，比较容易变成自由电子－价电子 ☆现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。 完全纯净的、结构完整的半导体晶体，称为本征半导体。 +4 +4 +4 +4 在绝对0度和没有外界激发时,价电子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有可以运动的带电粒子（即载流子），它的导电能力为0，相当于绝缘体。 随着温度的升高，价电子的能量越来越高，越来越多的价电子就可以摆脱共价键的束缚，成为可以导电的载流子－本征激发。 自由电子 空穴 +4 +4 +4 +4 束缚电子 本征半导体中电子和空穴的浓度哪个更高？ 本征半导体的导电机理 +4 +4 +4 +4 空穴的存在将吸引临近的价电子来填补，这个过程称为复合 价电子的移动也可以理解为空穴反方向在迁移 空穴的迁移相当于正电荷的移动，因此空穴也可以认为是载流子 空穴和电子数目相等、移动方向相反 电子电流与空穴电流 在没有外部电场作用下，空穴电子对不断产生又不断复合，处于无规律的状态。 在外电场的作用下，电子产生有规律的定向运动，从一个原子到另一个原子。 在电子定向运动的同时，空穴则按与价电子运动的方向相反，因此空穴运动相当于正电荷的运动，称为空穴电流。 空穴呢？ 本征半导体的导电性？ 本征半导体的导电性主要取决于温度。 温度越高，本征半导体载流子的浓度越高，本征半导体的导电能力越强。温度对半导体材料和器件性能的影响是半导体的