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应用氧化铪氮化矽堆叠式电荷储存层改进无接面式快闪记忆.PDFVIP

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  • 2017-07-02 发布于江苏
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应用氧化铪氮化矽堆叠式电荷储存层改进无接面式快闪记忆.PDF

    应用氧化铪氮化矽堆叠式电荷储存层改进无接面式快闪记忆

    1 02 / Improved Erasing Speed in Junctionless Flash Memory Device by HfO2 3 4 /Si N Stacked Trapping Layer 2 3 4 (HfO )/ (Si N ) (Junctionless, JL) JL (Inversion Mode, IM) JL N IM / JL JL IM JL

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