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基于0_8_mBCD工艺的20W_2集成D类音频功放设计.pdf
29 5 Vol. 29 No. 5
2008 5 JOURNAL OF SEMICONDUCTORS May, 2008
08m BCD 20W 2
D *
1, 2, 1, 2 1, 2 1 1
刘帘曦 朱樟明 杨银堂 过 伟 史 斌
( 1 , 710071)
( 2 , 710071)
: 08m BCD 20W 2 . 18V
8 20W , 85% .
, MOSFET
. D .
: D ; ; ;
EEACC: 2570
: TN 32 : A : 0253 177( 2008)
D 1 (
1 ) . V inp V inn ,
, LDM OSFET,
, D H .
( AB ) , ,
, ( OCP) ( OTP) .
. D H !,
, D ( deadtime) ,
[ 1] [ 3]
. , D . ,
80% , H , ,
. .
, D ,
[ 1, 2] ,
. ,
[ 3]
D . .
2.2 D BCD
2
CMOS
2. 1
D ( PWM)
: ,
,
, PWM
( level shif ter) ,
MOSFET,
LC .
MOSFET , , , D 1 D
[ 2] Fig . 1 Diagram of the circuit of classD power amplif ier
.
* ( : 60 760 6, ( : 20050701015) ( : 60725 15)
. Em ail: lxliu@ mail. xidian. edu. cn
, 2007121 2008
5 : 08m BCD 20W 2 D 989
2 nLDMOSFET
Fig. 2 Cross section of an nLDMOSFET
M OSFET , , .
MOSFET , ,
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